本发明公开了一种功率器件的制备方法，属于半导体技术领域。该方法包括，在N+型衬底的上表面淀积N型掺杂的非晶硅薄膜层，形成N型的非晶硅场截止层，经高温退火后，通过外延方法在N型的非晶硅场截止层上形成N-外延层，然后在N-外延层的上表面形成SiO2薄膜层,在SiO2薄膜层的上表面曝光出环状区域，形成终端的保护环结构；在终端截止环上曝光出最外围的环状区域，然后进行N+型离子注入和退火，形成终端区。本发明通过外延非晶硅形成的N型层作为功率器件的场截止层，剩余的载流子会很快被复合掉，外在表现就是使功率器件关断的拖尾电流变短，减小关断时间及关断损耗。