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重离子辐照对CMOS器件栅介质可靠性的影响研究

文献类型：会议论文

作者崔江维; 郑齐文; 刘梦新; 卜建辉; 余学峰; 魏莹; 于刚; 何承发; 郭旗
出版日期2018-07-24
源URL[http://159.226.55.107/handle/172511/19120]  
专题微电子研究所_硅器件与集成研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714		 崔江维,郑齐文,刘梦新,等. 重离子辐照对CMOS器件栅介质可靠性的影响研究[C]. 见:.

入库方式： OAI收割

来源：微电子研究所

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