Device parameter optimization for sub-20 nm node HK/MG-last bulk FinFETs
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhao ZG(赵治国) ; Luo J(罗军); Yang H(杨红); Meng LK(孟令款); Hong PZ(洪培真); Xiang JJ(项金娟); Gao JF(高建峰); Xiong WJ(熊文娟); Zhao C(赵超); Wang DH(王大海)
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| 刊名 | Journal of Semiconductors
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| 出版日期 | 2015-04-30 |
| 公开日期 | 2016-05-31 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/15035]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhao ZG,Luo J,Yang H,et al. Device parameter optimization for sub-20 nm node HK/MG-last bulk FinFETs[J]. Journal of Semiconductors,2015. |
| APA | Zhao ZG.,Luo J.,Yang H.,Meng LK.,Hong PZ.,...&Zhang YK.(2015).Device parameter optimization for sub-20 nm node HK/MG-last bulk FinFETs.Journal of Semiconductors. |
| MLA | Zhao ZG,et al."Device parameter optimization for sub-20 nm node HK/MG-last bulk FinFETs".Journal of Semiconductors (2015). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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