机构

• 高能物理研究所 [2]
• 半导体研究所 [2]

采集方式

• iSwitch采集 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 1999 [4]

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    发表日期：1999     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Raman scattering in hexagonal gan epitaxial layer grown on mgal(2)o(4) substrate 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 1999, 卷号: 86, 期号: 4, 页码: 2051-2054 作者:  Li, GH;  Zhang, W;  Han, HX;  Wang, ZP;  Duan, SK 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/12 Kinetics of wet oxidation at 1000 degrees c of si0.5ge0.5 relaxed alloy 期刊论文  iSwitch采集 Semiconductor science and technology, 1999, 卷号: 14, 期号: 5, 页码: 484-487 作者:  Zhang, JP;  Hemment, PLF;  Parker, EHC 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Modification of c-axis sapphire implanted with high dose yttrium ions 期刊论文  iSwitch采集 Nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 1999, 卷号: 149, 期号: 1-2, 页码: 136-140 作者:  Xie, DZ;  Zhu, DZ;  Cao, DX;  Cao, JQ;  Pan, HC 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/04/23 Sapphire  Ion implantation   Auger electron spectroscopy and rutherford backscattering-channeling study of silicon nitride formation by low energy n-2(+) ion implantation 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 1999, 卷号: 16, 期号: 2, 页码: 120-122 作者:  Chai, JW;  Yang, GH;  Pan, HC;  Cao, JQ;  Zhu, DZ 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/04/23