机构

• 半导体研究所 [3]
• 中国科学院大学 [1]

采集方式

• iSwitch采集 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2009 [2]
• 2008 [1]
• 2005 [1]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Depolarization blueshift in intersubband transitions of triangular quantum wires 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 11, 页码: 4 作者:  Zhang, B.;  Lu, Y. W.;  Song, H. P.;  Liu, X. L.;  Yang, S. Y. 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/05/12 Aluminium compounds  Effective mass  Gallium arsenide  Iii-v semiconductors  Scf calculations  Semiconductor quantum wires  Spectral line shift   Band gap engineering of gan nanowires by surface functionalization 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 7, 页码: 3 作者:  Fang, D. Q.;  Rosa, A. L.;  Frauenheim, Th.;  Zhang, R. Q. 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/05/10 Adsorption  Density functional theory  Energy gap  Gallium compounds  Iii-v semiconductors  Nanowires  Passivation  Semiconductor quantum wires  Surface states  Wide band gap semiconductors   Strain relaxation and band-gap tunability in ternary inxga1-xn nanowires 期刊论文  iSwitch采集 Physical review b, 2008, 卷号: 78, 期号: 19, 页码: 4 作者:  Xiang, H. J.;  Wei, Su-Huai;  Da Silva, Juarez L. F.;  Li, Jingbo 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Density functional theory  Energy gap  Enthalpy  Gallium compounds  Ground states  Iii-v semiconductors  Indium compounds  Monte carlo methods  Nanowires  Semiconductor quantum wires  Wide band gap semiconductors   Structural and optical properties of inas/in0.52al0.48as self-assembled quantum wires on inp(001) 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 284, 期号: 3-4, 页码: 306-312 作者:  Wang, YL;  Chen, YH;  Wu, J;  Lei, W;  Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 High-resolution transmission electron microscopy  Nananostructures  Optical properties  Inas quantum wire  Molecular beam epitaxy  Semiconductiong iii-v materials