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  • OAI收割 [6]
内容类型
发表日期
  • 2006 [6]
学科主题
  • 半导体物理 [6]
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1.3 mu m high indium content (42.5%) GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy 会议论文  OAI收割
32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005
Niu, ZC; Zhang, SY; Ni, HQ; Wu, DH; He, ZH; Sun, Z; Han, Q; Wu, RG
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The role of Sb in the molecular beam epitaxy growth of 1.30-1.55 mu m wavelength GaInNAs/GaAs quantum well with high indium content 期刊论文  OAI收割
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 290, 期号: 2, 页码: 494-497
Wu DH; Niu ZC; Zhang SY; Ni HQ; He ZH; Sun Z; Han Q; Wu RH
收藏  |  浏览/下载：85/0  |  提交时间：2010/04/11
1.3μm InGaAs/InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dot Laser Diode Grown by Molecular Beam Epitaxy 期刊论文  OAI收割
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 482-488
作者:  Wu Donghai;  Han Qin;  Peng Hongling;  Niu Zhichuan
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/23
Liquid-phase-epitaxy-grown InAsxSb1-x/GaAs for room-temperature 8-12 mu m infrared detectors 期刊论文  OAI收割
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 24, 页码: art.no.242108
作者:  Zhang XW
收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/04/11
Growth of thicker zinc-blende CrSb layers by using (In,Ga)As buffer layers 期刊论文  OAI收割
journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 9, 页码: art.no.093902
Deng JJ; Zhao JH; Bi JF; Niu ZC; Yang FH; Wu XG; Zheng HZ
收藏  |  浏览/下载：99/0  |  提交时间：2010/04/11
Thermal entanglement in a two-spin-qutrit system under a nonuniform external magnetic field 期刊论文  OAI收割
european physical journal d, 2006, 卷号: 37, 期号: 1, 页码: 123-127
Zhang GF; Li SS
收藏  |  浏览/下载：527/18  |  提交时间：2010/04/11