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机构
半导体研究所 [6]
采集方式
OAI收割 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2009 [6]
学科主题
半导体材料 [6]
筛选
浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
帮助
限定条件
存缴方式:oaiharvest
发表日期:2009
学科主题:半导体材料
条数/页:
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Influence of implantation energy on the characteristics of Mn-implanted nonpolar a-plane GaN films
期刊论文
OAI收割
materials letters, 2009, 卷号: 63, 期号: 3-4, 页码: 451-453
Sun LL
;
Yan FW
;
Wang JX
;
Zhang HX
;
Zeng YP
;
Wang GH
;
Li JM
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提交时间:2010/03/08
Diluted magnetic semiconductors (DMSs)
Implantation energy
Nonpolar a-plane GaN:Mn films
Room temperature
The structural, morphological and magnetic characteristics of Mn-implanted nonpolar a-plane GaN films
期刊论文
OAI收割
physica status solidi a-applications and materials science, 2009, 卷号: 206, 期号: 1, 页码: 91-93
Sun LL
;
Yan FW
;
Wang JX
;
Zeng YP
;
Wang GH
;
Li JM
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浏览/下载:219/46
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提交时间:2010/03/08
ROOM-TEMPERATURE
THIN-FILMS
(GA
MN)N
The field emission properties of nonpolar a-plane n-type GaN films grown on nano-patterned sapphire substrates
期刊论文
OAI收割
physica status solidi a-applications and materials science, 2009, 卷号: 206, 期号: 7, 页码: 1501-1503
Sun LL
;
Yan FW
;
Wang JX
;
Zhang HX
;
Zeng YP
;
Wang GH
;
Li JM
收藏
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浏览/下载:55/1
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提交时间:2010/03/08
ELECTRON-AFFINITY
Boron-doped silicon film as a recombination layer in the tunnel junction of a tandem solar cell
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 6, 页码: 25-28
作者:
Liu Shiyong
;
Peng Wenbo
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/23
An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application
期刊论文
OAI收割
solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335
作者:
Zhang ML
;
Hou QF
收藏
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浏览/下载:129/30
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/AlN/GaN
HEMT
MOCVD
SiC substrate
Power device
The impact of implantation dose on the characteristics of diluted-magnetic nonpolar GaN:Cu films
期刊论文
OAI收割
materials letters, 2009, 卷号: 63, 期号: 29, 页码: 2574-2576
Sun, LL (Sun, Lili)
;
Yan, FW (Yan, Fawang)
;
Zhang, HX (Zhang, Huixiao)
;
Wang, JX (Wang, Junxi)
;
Zeng, YP (Zeng, Yiping)
;
Wang, GH (Wang, Guohong)
;
Li, JM (Li, Jinmin)
收藏
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提交时间:2010/03/08
Diluted magnetic semiconductors (DMSs)