机构

• 半导体研究所 [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2009 [6]

学科主题

• 半导体物理 [6]

筛选

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 存缴方式：oaiharvest    发表日期：2009    学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Distribution of dislocations in GaSb and InSb epilayers grown on GaAs (001) vicinal substrates 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 9, 页码: art. no. 094903 Li MC; Qiu YX; Liu GJ; Wang YT; Zhang BS; Zhao LC 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/03/08 X-RAY-DIFFRACTION  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  FILMS  MISFIT   Measuring spin diffusion of electrons in bulk n-GaAs using circularly dichromatic absorption difference spectroscopy of spin gratings 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 20, 页码: art. no. 202109 Yu HL; Zhang XM; Wang PF; Ni HQ; Niu ZC; Lai TS 收藏  |  浏览/下载：53/4  |  提交时间：2010/03/08 circular dichroism  diffraction gratings  diffusion  gallium arsenide  homodyne detection  III-V semiconductors  spin dynamics  spin polarised transport   The effect of single AlGaN interlayer on the structural properties of GaN epilayers grown on Si (111) substrates 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 10, 页码: 4413-4417 Wu YX (Wu Yu-Xin); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Zhao DG (Zhao De-Gang); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Wang YT (Wang Yu-Tian); Wang H (Wang Hui); Chen GF (Chen Gui-Feng); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：130/35  |  提交时间：2010/03/08 GaN   Strain and magnetic anisotropy of as-grown and annealed Fe films on c(4x4) reconstructed GaAs (001) surface 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 1, 页码: art. no. 013911 作者:  Chen L 收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2010/03/08 annealing  gallium arsenide  iron  magnetic anisotropy  magnetic epitaxial layers  magnetisation  molecular beam epitaxial growth  transmission electron microscopy  X-ray diffraction   Anisotropic strain relaxation of thin Fe film on c(4 x 4) reconstructed GaAs (001) surface 期刊论文  OAI收割 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2009, 卷号: 42, 期号: 2, 页码: 150-153 作者:  Chen L;  Zhang XH 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/04/04 Fe thin film  Anisotropic strain relaxation  Magnetic anisotropy  X-ray diffraction  UNIAXIAL MAGNETIC-ANISOTROPY  EPITAXIAL-GROWTH  GAAS(001)  DEVICES   Role of edge dislocation and Si impurity in linking the blue luminescence and yellow luminescence in n-type GaN films 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 4, 页码: art. no. 041901 作者:  Yang H;  Wang H;  Wang H;  Wang YT;  Yang H 收藏  |  浏览/下载：64/1  |  提交时间：2010/03/08 edge dislocations  gallium compounds  III-V semiconductors  impurities  photoluminescence  semiconductor doping  semiconductor thin films  silicon  wide band gap semiconductors  X-ray diffraction