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机构
半导体研究所 [2]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2011 [2]
学科主题
半导体材料 [2]
筛选
浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
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限定条件
存缴方式:oaiharvest
发表日期:2011
学科主题:半导体材料
条数/页:
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Investigation of cracks in GaN films grown by combined hydride and metal organic vapor-phase epitaxial method
期刊论文
OAI收割
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.69
作者:
Song HP
;
Wei HY
;
Li CM
;
Jiao CM
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浏览/下载:66/4
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提交时间:2011/07/05
CATHODOLUMINESCENCE CHARACTERIZATION
GALLIUM NITRIDE
STRESSES
LAYERS
HETEROSTRUCTURE
DEPOSITION
CONSTANTS
MECHANISM
SAPPHIRE
STRAIN
Influence of thermal stress on the characteristic parameters of AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts
期刊论文
OAI收割
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: article no.47105
Lu YJ
;
Lin ZJ
;
Zhang Y
;
Meng LG
;
Cao ZF
;
Luan CB
;
Chen H
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:57/2
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提交时间:2011/07/05
AlGaN/GaN heterostructures
thermal stressing
polarization
self-consistently solving Schrodinger's and Poisson's equations
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
POLARIZATION
STABILITY
CHARGE
GAN