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• 上海技术物理研究所 [7]

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• OAI收割 [7]

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• 期刊论文 [7]

发表日期

• 2012 [7]

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 存缴方式：oaiharvest    发表日期：2012    专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 BAND ALIGNMENT AND ATOM SEGREGATION OF LaYbO3 FILMS ON SILICON 期刊论文  OAI收割 SURFACE REVIEW AND LETTERS, 2012, 卷号: 19, 期号: 2 作者:  Su, WT;  Huo, DX;  Li, B   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/03/18 Improved thermal and electrical properties of Al-doped Ge2Sb2Te5 films for phase-change random access memory 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2012, 卷号: 45, 期号: 37 作者:  Wang, GX;  Shen, X;  Nie, QH;  Wang, RP;  Wu, LC   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/03/18 Te-based chalcogenide films with high thermal stability for phase change memory 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 卷号: 111, 期号: 9 作者:  Wang, GX   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/03/18 Annealing-Ambient-Dependent Thermal Stability of Ultrathin AlOxNy Films Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition 期刊论文  OAI收割 SCIENCE OF ADVANCED MATERIALS, 2012, 卷号: 4, 期号: 10 作者:  He, G;  Sun, ZQ;  Chen, HS;  Fang, ZB;  Chen, XS   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2013/03/18 Phase change behaviors of Zn-doped Ge2Sb2Te5 films 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 101, 期号: 5 作者:  Wang, GX;  Nie, QH;  Shen, X;  Wang, RP;  Wu, LC   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2013/03/18 Phase change and optical band gap behavior of Ge-Te-Ga thin films prepared by thermal evaporation 期刊论文  OAI收割 VACUUM, 2012, 卷号: 86, 期号: 10 作者:  Wang, GX;  Nie, QH;  Shen, X;  Chen, F;  Li, J   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/03/18 Effects of P implantation and post-implantation annealing on defect formation in ZnO 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 卷号: 111, 期号: 4 作者:  Wang, XJ;  Chen, WM;  Ren, F;  Pearton, S;  Buyanova, IA   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/03/18