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机构
半导体研究所 [4]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
会议论文 [4]
发表日期
2006 [1]
2000 [1]
1999 [1]
1998 [1]
学科主题
半导体物理 [4]
筛选
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
帮助
限定条件
存缴方式:oaiharvest
学科主题:半导体物理
内容类型:会议论文
条数/页:
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1.3 mu m high indium content (42.5%) GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy
会议论文
OAI收割
32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005
Niu, ZC
;
Zhang, SY
;
Ni, HQ
;
Wu, DH
;
He, ZH
;
Sun, Z
;
Han, Q
;
Wu, RG
收藏
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浏览/下载:224/60
  |  
提交时间:2010/03/29
IMPROVED LUMINESCENCE EFFICIENCY
TEMPERATURE
PHOTOLUMINESCENCE
NITROGEN
ORIGIN
DIODES
Methods to tune the electronic states of self-organized InAs/GaAs quantum dots
会议论文
OAI收割
5th international conference on the electrical transport and optical properties of inhomogeneous media (etopim5), hong kong, hong kong, jun 21-25, 1999
作者:
Wang H
;
Jiang DS
;
Wang H
;
Niu ZC
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/15
quantum dot
growth interruption
quantum dot laser
New way to enhance the uniformity of self-organized InAs quantum dots
会议论文
OAI收割
25th international symposium on compound semiconductors, nara, japan, oct 12-16, 1998
Zhu HJ
;
Wang H
;
Wang ZM
;
Cui LQ
;
Feng SL
收藏
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浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2010/11/15
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
THRESHOLD
GROWTH
LASER
New method for the growth of highly uniform quantum dots
会议论文
OAI收割
2nd international conference on low dimensional structures and devices, lisbon, portugal, may 19-21, 1997
Pan D
;
Zeng YP
;
Kong MY
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/15
self-formed quantum dot
Stranski-Krastanow growth mode
superlattice
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INGAAS
GAAS
DISLOCATIONS
MULTILAYERS
DEFECTS
STRAIN