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	InGaN基量子阱发光二极管光电性能的研究与器件设计优化学位论文 OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2008 作者: 李为军 \| 收藏 \| 浏览/下载：13/0 \| 提交时间：2012/08/22 Ingan/gan多量子阱发光二极管电致发光谱态填充效应应力致发光纳米压印和su8技术量子阱模型量子点模型内建极化场 Alingan 台阶型量子阱 Staggered 型量子阱内量子效率数值模拟
	多尺度的量子器件光电性质研究学位论文 OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2008 作者: 江俊 \| 收藏 \| 浏览/下载：11/0 \| 提交时间：2012/07/11 量子器件
	硅基表面砷钝化及碲化镉材料外延的第一性原理研究学位论文 OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2008 作者: 黄燕 \| 收藏 \| 浏览/下载：14/0 \| 提交时间：2012/08/22 Si高密勒指数表面钝化第一性原理 Cdte As
	半导体局域性能态光谱研究学位论文 OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2007 作者: 余晨辉 \| 收藏 \| 浏览/下载：10/0 \| 提交时间：2012/07/11 高纯硅与锗 Inas/gaas表面量子点光热电离光谱压电调制反射光谱类氢杂质 Zeeman分裂与移动准朗道共振新浅施主复合中心负光电导多重限制态高斯线形拟合量子点能级红移
	红外光电子材料碲镉汞的功能缺陷掺杂的第一性原理研究学位论文 OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2005 作者: 孙立忠 \| 收藏 \| 浏览/下载：13/0 \| 提交时间：2012/07/11 光电子材料碲镉汞第一性原理 Lapw方法 Ppw方法杂质空位缺陷
	几种光电子功能材料的第一性原理研究学位论文 OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2004 作者: 郭旭光 \| 收藏 \| 浏览/下载：11/0 \| 提交时间：2012/06/25 密度泛函理论钙钛矿型氧化物质子注入稀磁半导体