机构

• 西安光学精密机械研究... [6]

采集方式

• OAI收割 [6]

内容类型

• 专利 [6]

发表日期

• 2004 [1]
• 1996 [1]
• 1994 [1]
• 1988 [1]
• 1986 [1]
• 1980 [1]
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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 存缴方式：oaiharvest    内容类型：专利     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Quantum well intermixing in InGaAsP structures induced by low temperature grown InP 专利  OAI收割 专利号: US6797533, 申请日期: 2004-09-28, 公开日期: 2004-09-28 作者:  THOMPSON, DAVID A.;  ROBINSON, BRADLEY J.;  LETAL, GREGORY J.;  LEE, ALEX S. W.;  GORDON, BROOKE   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26 気相成長方法及び埋め込み構造半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2586118B2, 申请日期: 1996-12-05, 公开日期: 1997-02-26 作者:  黒田 尚孝;  菅生 繁男   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/24 Selective growth of InP in device fabrication 专利  OAI收割 专利号: GB2253304B, 申请日期: 1994-10-05, 公开日期: 1994-10-05 作者:  ROBERT, FRANK, KARLICEK;  ROBERT, FRANK, KARLICEK, JR   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24 Crystal growth method 专利  OAI收割 专利号: JP1988042114A, 申请日期: 1988-02-23, 公开日期: 1988-02-23 作者:  MINAGAWA SHIGEKAZU   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 Methods of making semiconductor light-emitting devices and vapour phase growth apparatus used for carrying out the methods 专利  OAI收割 专利号: EP0171242A2, 申请日期: 1986-02-12, 公开日期: 1986-02-12 作者:  IKEDA, MASAO C/O PATENT DIVISION;  MORI, YOSHIFUMI C/O PATENTS DIVISION;  KAWAI, HIROJI C/O PATENTS DIVISION   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 Method of growing crystal 专利  OAI收割 专利号: JP1980099717A, 申请日期: 1980-07-30, 公开日期: 1980-07-30 作者:  SUGIYAMA KOUICHI   |  收藏  |  浏览/下载：109/0  |  提交时间：2020/01/18