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Investigation on direct-gap GeSn alloys for high-performance tunneling field-effect transistor applications 期刊论文  OAI收割
Electron Devices Technology and Manufacturing Conference, 2017
作者:  
Liu L(刘磊);  Wang GL(王桂磊);  Henry Homayoun Radamson
  |  收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2018/07/05