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机构
半导体研究所 [2]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
1998 [2]
学科主题
半导体材料 [2]
筛选
浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
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限定条件
发表日期:1998
学科主题:半导体材料
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The growth and characterization of GaN grown on an Al2O3 coated (001)Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 484-490
Wang LS
;
Liu XL
;
Zan YD
;
Wang D
;
Lu DC
;
Wang ZG
;
Wang YT
;
Cheng LS
;
Zhang Z
收藏
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提交时间:2010/08/12
GaN
MOVPE growth
Al2O3 coated Si substrate
crystal structure
photoluminescence spectrum
SINGLE CRYSTALLINE GAN
HIGH-QUALITY GAN
INTERMEDIATE LAYER
BUFFER LAYERS
SI
FILMS
ALN
DEPOSITION
SAPPHIRE
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Microstructure evolution of GaN buffer layer on MgAl2O4 substrate
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 193, 期号: 4, 页码: 478-483
作者:
Han PD
收藏
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2010/08/12
GaN
MgAl2O4
buffer layer
threading dislocation
transmission electron microscopy
LASER-DIODES
GROWN GAN
FILMS
SAPPHIRE
NITRIDE
DEFECTS
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION