机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2001 [3]

学科主题

• 半导体物理 [3]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2001    学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Surface roughness and high density of cubic twins and hexagonal inclusions in cubic GaN epilayers 期刊论文  OAI收割 science in china series a-mathematics physics astronomy, 2001, 卷号: 44, 期号: 6, 页码: 796-800 Qu B; Li SF; Hu GX; Zheng XH; Wang YT; Lin SM; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：88/3  |  提交时间：2010/08/12 GaN  polarity  surface roughness  FILMS  STABILITY  GROWTH   Multiplicity factor and diffraction geometry factor for single crystal X-ray diffraction analysis and measurement of phase content in cubic GaN/GaAs(001) epilayers 期刊论文  OAI收割 science in china series a-mathematics physics astronomy, 2001, 卷号: 44, 期号: 4, 页码: 497-503 Qu B; Zheng XH; Wang YT; Feng ZH; Han JY; Liu S; Lin SM; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：106/6  |  提交时间：2010/08/12 four-circle diffraction  GaN  phase content  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAN FILMS  GROWTH  STABILITY  RATIO   Gap states of hydrogenated amorphous silicon near and above the threshold of microcrystallinity with subtle boron compensation 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 17, 页码: 2509-2511 Sheng SR; Liao XB; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：103/17  |  提交时间：2010/08/12 CONSTANT PHOTOCURRENT METHOD  A-SI-H  ABSORPTION  FILMS  SPECTROSCOPY  DEPOSITION  STABILITY  DILUTION