机构

• 半导体研究所 [14]

采集方式

• OAI收割 [14]

内容类型

• 期刊论文 [11]
• 会议论文 [3]

发表日期

• 2002 [14]

学科主题

• 半导体材料 [14]

筛选

浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2002    学科主题：半导体材料     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Nanodiamond formation by hot-filament chemical vapor deposition on carbon ions bombarded Si 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 85-89 Liao MY; Meng XM; Zhou XT; Hu JQ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：145/8  |  提交时间：2010/08/12 nucleation  chemical vapor deposition processes  diamond  nanomaterials  DIAMOND THIN-FILMS  AMORPHOUS-CARBON  PLASMAS  SYSTEM  FIELD   Strong red light emission from silicon nanocrystals embedded in SIO2 matrix 会议论文  OAI收割 conference on optoelectronic and microelectronic materials and devices (commad), sydney, australia, dec 11-13, 2002 Chen WD; Wang YQ; Chen CY; Diao HW; Liao XB; Kong GL; Hsu CC 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/10/29 PHOTOLUMINESCENCE  LUMINESCENCE  SPECTROSCOPY  DEPOSITION   (Ga,Mn,As) compounds grown on semi-insulating GaAs with mass-analyzed low energy dual ion beam depositionw 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 2-3, 页码: 359-363 Yang JL; Chen NF; Liu ZK; Yang SY; Chai CL; Liao MY; He HJ 收藏  |  浏览/下载：76/6  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  ion beam epitaxy  gallium arsenide  FILMS  FE   Characterization of diphasic nc-Si/a-Si : H thin films and solar cells 会议论文  OAI收割 29th ieee photovoltaic specialists conference, new orleans, la, may 19-24, 2002 Zhang SB; Xu YY; Hu ZH; Wang YQ; Zeng XB; Diao HW; Wang WJ; Kong GL; Liao XB 收藏  |  浏览/下载：22/7  |  提交时间：2010/10/29 SILICON  RAMAN   Crystallographic tilt in GaN layers grown by epitaxial lateral overgrowth 期刊论文  OAI收割 science in china series a-mathematics physics astronomy, 2002, 卷号: 45, 期号: 11, 页码: 1461-1467 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  epitaxial lateral overgrowth  crystallographic tilt  double crystal X-ray diffraction  FILMS  DEFECTS  GAAS   Study on optical band gap of boron-doped nc-Si : H film 会议论文  OAI收割 symposium on silicon-based heterostructure materials held at the 8th iumrs international conference on electronic materials (iumrs-icem2002), xian, peoples r china, jun 10-14, 2002 Wei WS; Wang TM; Zhang CX; Li GH; Han HX; Ding K 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/15 AMORPHOUS-SILICON   GdxSi grown with mass-analyzed low energy dual ion beam epitaxy technique 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 242, 期号: 3-4, 页码: 389-394 Zhou JP; Chen NF; Zhang FQ; Song SL; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/08/12 Auger electron spectroscopy  X-ray diffraction  X-ray photoelectron spectroscopy  ion beam epitaxy  semiconducting gadolinium silicide  SEMICONDUCTING SILICIDES  MAGNETIC SEMICONDUCTORS  TRANSITION  INSULATOR  SILICON  FILMS   A novel application to quantum dot materials to the active region of superluminescent diodes 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 25-29 作者:  Li CM;  Xu B;  Jin P;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  low dimensional structures  quantum dots  strain  molecular beam epitaxy  superluminescent diodes  1.3 MU-M  HIGH-POWER  INTEGRATED ABSORBER  INAS ISLANDS  SPECTRUM  WINDOW  LAYER  SIZE   Influence of strain on annealing effects of In(Ga)As quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 244, 期号: 2, 页码: 136-141 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 low dimensional structures  strain  molecular beam epitaxy  quantum dots  ELECTRONIC-STRUCTURE  PHOTOLUMINESCENCE  INTERDIFFUSION  TRANSITIONS  SPECTRA   Magnetic property and interlayer segregation in spin valve metal multilayers 期刊论文  OAI收割 science in china series e-technological sciences, 2002, 卷号: 45, 期号: 2, 页码: 140-145 Yu GH; Li MH; Zhu FW; Chai CL; Jiang HW; Lai WY 收藏  |  浏览/下载：124/19  |  提交时间：2010/08/12 NiFe/FeMn  NiFe/Cu/NiFe/FeMn  interlayer segregation  exchange coupling field H-ex  X-ray photoelectron spectroscopy( XPS)  UNIDIRECTIONAL ANISOTROPY  EXCHANGE BIAS  FILMS  BILAYERS  LAYERS  DEPENDENCE  INTERFACES  FIELD  MODEL