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浏览/检索结果: 共78条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Ridge-channel AlGaN/GaN normally-off high-electron mobility transistor based on epitaxial lateral overgrowth 期刊论文  OAI收割 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 卷号: 36, 期号: 7, 页码: 75003 作者:  Ji, Xiaoli;   Fariza, Aqdas;   Zhao, Jie;   Wang, Maojun;   Wang, Junxi;   Yang, Fuhua;   Li, Jinmin;   Wei, Tongbo   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2022/07/26 Single-step-grown transversely coupled distributed feedback laser 专利  OAI收割 专利号: US9350138, 申请日期: 2016-05-24, 公开日期: 2016-05-24 作者:  GUBENKO, ALEXEY;  LIVSHITS, DANIIL;  MIKHRIN, SERGEY;  KRESTNIKOV, IGOR   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24 Morphological dependent Indium incorporation in InGaN/GaN multiple quantum wells structure grown on 4 degrees misoriented sapphire substrate 期刊论文  OAI收割 AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 3 作者:  Jiang, T;  Xu, SR;  Zhang, JC;  Li, PX;  Huang, J(黄俊) 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2017/03/11 Improved Crystalline Quality of AlN by Epitaxial Lateral Overgrowth Using Two-Phase Growth Method for Deep-Ultraviolet Stimulated Emission 期刊论文  OAI收割 ieee photonics journal, 2016, 卷号: 8, 期号: 5, 页码: 2300211 Xiang Chen; Jianchang Yan; Yun Zhang; Yingdong Tian; Yanan Guo; Shuo Zhang; Tongbo Wei; Junxi Wang; Jin Min Li 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2017/03/16 Epitaxial growth of in-plane nanowires and nanowire devices 专利  OAI收割 专利号: US8785226, 申请日期: 2014-07-22, 公开日期: 2014-07-22 作者:  LEE, SEUNG CHANG;  BRUECK, STEVEN R. J.   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/24 Stress-induced in situ epitaxial lateral overgrowth of high-quality GaN 期刊论文  OAI收割 Crystengcomm, 2014, 卷号: 16, 期号: 34, 页码: 8058-8063 作者:  Jiang H.;  Song H. 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2015/04/24 Photonic-crystal surface emitting laser, laser array using the laser, and image forming apparatus using the laser array 专利  OAI收割 专利号: US8488643, 申请日期: 2013-07-16, 公开日期: 2013-07-16 作者:  NAGATOMO, YASUHIRO;  KAWASHIMA, SHOICHI   |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/18 Photonic-crystal surface emitting laser, laser array using the laser, and image forming apparatus using the laser array 专利  OAI收割 专利号: US8442086, 申请日期: 2013-05-14, 公开日期: 2013-05-14 作者:  NAGATOMO, YASUHIRO   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/24 X-ray probe of GaN thin films grown on InGaN compliant substrates 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2013, 卷号: 102, 期号: 13, 页码: 132104 作者:  Xu, XQ;  Li, Y;  Liu, JM;  Wei, HY;  Liu, XL 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2016/04/08 Growth of a-plane GaN on r-plane sapphire by self-patterned nanoscale epitaxial lateral overgrowth 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2012, 卷号: 348, 期号: 1, 页码: 10-14 Li, ZW; Wei, HY; Xu, XQ; Zhao, GJ; Liu, XL; Yang, SY; Zhu, QS; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/03/17