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半导体研究所 [2]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2006 [2]
学科主题
半导体物理 [2]
筛选
浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
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限定条件
发表日期:2006
学科主题:半导体物理
内容类型:期刊论文
条数/页:
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Optical properties of inGaAs/GaAs quantum wells grown by Sb-assisted molecular beam epitaxy
期刊论文
OAI收割
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 288, 期号: 1, 页码: 40529
作者:
Wu DH
;
Niu ZC
;
Jiang DS
;
Xu YQ
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提交时间:2010/04/11
molecular beam epitaxy
quantum wells
semiconducting III-V materials
MU-M
LASERS
TEMPERATURE
SURFACTANT
NM
Dependence of bimodal size distribution on temperature and optical properties of InAs quantum dots grown on vicinal GaAs (1-00) substrates by using MOCVD
期刊论文
OAI收割
chinese physics, 2006, 卷号: 15, 期号: 5, 页码: 1114-1119
作者:
Liang S
;
Pan JQ
收藏
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  |  
提交时间:2010/04/11
self-assembled quantum dots
indium arsenide
bimodal size distribution
MOCVD
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MU-M
ISLANDS
DENSITY
EPITAXY
LASER