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浏览/检索结果: 共98条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Low-Temperature As-Doped In2O3Nanowires for Room Temperature NO2Gas Sensing 期刊论文  OAI收割 ACS Applied Nano Materials, 2022, 卷号: 5, 期号: 6, 页码: 7983-7992 作者:  Wang, Hang;  Fan, Guijun;  Yang, Zaixing;  Han, Ning;  Chen, Yunfa   |  收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2023/06/26 Catalysts - Chemical sensors - Chemical vapor deposition - CMOS integrated circuits - Copper oxides - Crystalline materials - Gas detectors - Gas sensing electrodes - III-V semiconductors - Indium arsenide - MOS devices - Oxide semiconductors - Temperature   Controlled growth of two-dimensional InAs single crystals via van der Waals epitaxy 期刊论文  OAI收割 NANO RESEARCH, 2022, 页码: 6 作者:  Dai, Jiuxiang;  Yang, Teng;  Jin, Zhitong;  Zhong, Yunlei;  Hu, Xianyu   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2022/07/14 two-dimensional materials  van der Waals epitaxy  indium arsenide  nonlayered material   1 meV electron irradiation and post-annealing effects of GaInAsN diluted nitride alloy with 1 eV bandgap energy 期刊论文  OAI收割 THIN SOLID FILMS, 2020, 卷号: 709, 期号: 9, 页码: 1-5 作者:  Sailai, M (Sailai, Momin)[ 1 ];  Lei, QQ (Lei, Qi Qi)[ 1,2 ];  Aierken, A (Aierken, Abuduwayiti)[ 1,3 ];  Heini, M (Heini, Maliya)[ 1,4 ];  Zhao, XF (Zhao, Xiao Fan)[ 1 ]   |  收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2020/10/23 Gallium indium arsenide nitride alloy  Electron irradiation  Photoluminescence  Thermal annealing  Arrhenius plot   Extracting more light for vertical emission: high power continuous wave operation of 1.3-m quantum-dot photonic-crystal surface-emitting laser based on a flat band 期刊论文  OAI收割 Light: Science and Applications, 2019, 卷号: 8, 期号: 1 作者:  H.-Y.Lu;  S.-C.Tian;  C.-Z.Tong;  L.-J.Wang;  J.-M.Rong   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/08/24 Photonic crystals,Arsenic compounds,Crystal structure,III-V semiconductors,Indium arsenide,Nanocrystals,Quantum dot lasers,Semiconductor quantum dots,Surface emitting lasers   Near-infrared methane sensor based on a distributed feedback laser 期刊论文  OAI收割 Spectroscopy Letters, 2019, 卷号: 52, 期号: 2, 页码: 113-120 作者:  J.N.Wang;  B.Li;  G.Y.Lin;  Q.J.Ma;  S.R.Wang   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/08/24 Absorption spectrum,distributed-feedback,lasers,interband cascade laser,absorption-spectroscopy,gas sensor,diode-laser,Spectroscopy   AlGaInP-based semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: US9425583, 申请日期: 2016-08-23, 公开日期: 2016-08-23 作者:  HAGIMOTO, MASATO;  FUKAI, HARUKI;  KIYOSUMI, TSUTOMU;  SASAKI, SHINJI;  KAWANAKA, SATOSHI   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26 具有高热波长调谐效率的可调激光器 专利  OAI收割 专利号: CN105409071A, 申请日期: 2016-03-16, 公开日期: 2016-03-16 作者:  陈宏民;  颜学进;  苗容生;  沈晓;  刘宗荣   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/18 Nonlocal ordinary magnetoresistance in indium arsenide 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS, 2015, 卷号: 385, 页码: 292 Liu, P; Yuan, ZH; Wu, H; Ali, SS; Wan, CH; Ban, SL 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2016/12/26 Electrical characteristics of field-effect transistors based on indium arsenide nanowire thinner than 10nm 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 2014, 卷号: 105, 105, 期号: 14, 页码: 143101, 143101 作者:  Fu, MQ;  Pan, D;  Yang, YJ;  Shi, TW;  Zhang, ZY   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2015/03/20 Ordered inas nanodots formed on the patterned gaas substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 108-113 作者:  Jin, Lan;  Zhou, Huiying;  Qu, Shengchun;  Wang, Zhanguo 收藏  |  浏览/下载：98/0  |  提交时间：2019/05/12 Patterned substrate  Ion implantation  Ordered nanodots  Anodic aluminum oxide