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• 上海微系统与信息技术... [3]

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内容类型

• 期刊论文 [2]
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发表日期

• 2006 [3]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2006    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 利用改善的体连接技术制备SOI LDMOSFET 期刊论文  OAI收割 半导体技术, 2006, 期号: 07 程新红; 宋朝瑞; 俞跃辉; 袁凯; 许仲德 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/01/06 分子束外延(MBE)  Ⅲ/Ⅴ比  二维生长  光致发光(PL)谱   部分耗尽环栅CMOS/SOI总剂量辐射效应研究 期刊论文  OAI收割 功能材料与器件学报, 2006, 期号: 04 贺威; 张恩霞; 钱聪; 张正选 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/01/06 蓝牙  Adhoc网  微微网  轮询  时延  吞吐量   部分耗尽SOI MOSFET总剂量效应与偏置状态的关系 会议论文  OAI收割 高能物理与核物理, 2006 俞文杰; 王茹; 张正选; 钱聪; 贺威; 田浩; 陈明 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2012/01/18 绝缘体硅 总剂量辐射效应 背沟道 掩埋氧化层 数值模型 载流子复合