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机构
上海微系统与信息技术... [3]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2007 [3]
学科主题
Physics, M... [3]
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浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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发表日期:2007
学科主题:Physics, Multidisciplinary
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Ge1Sb2Te4 based chalcogenide random access memory array fabricated by 0.18-mu m CMOS technology
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 790-792
Zhang, T
;
Song, ZT
;
Feng, GM
;
Liu, B
;
Wu, LC
;
Feng, SL
;
Chen, B
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提交时间:2012/03/24
THIN-FILMS
PHASE
CRYSTALLIZATION
ALLOYS
DEVICE
Chalcogenide random access memory cell with structure of W sub-microtube heater electrode
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2007, 卷号: 24, 期号: 1, 页码: 262-264
Bo, L
;
Feng, GM
;
Wu, LC
;
Song, ZT
;
Liu, QB
;
Feng, SL
;
Bomy, C
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/03/24
PHASE-CHANGE MEMORY
ION-BEAM METHOD
SB2TE3 MATERIAL
GE2SB2TE5 FILM
ELEMENT
CRYSTALLIZATION
Si1Sb2Te3 phase change material for chalcogenide random access memory
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS, 2007, 卷号: 16, 期号: 8, 页码: 2475-2478
Zhang, T
;
Song, ZT
;
Liu, B
;
Liu, WL
;
Feng, SL
;
Chen, B
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浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2012/03/24
OVONIC UNIFIED MEMORY
AMORPHOUS THIN-FILMS
OPTICAL DISK
RESISTANCE MEASUREMENTS
ELECTRICAL-PROPERTIES
GE2SB2TE5 FILM
TE GLASSES
CRYSTALLIZATION
IMPLANTATION
BEHAVIOR