机构

• 上海微系统与信息技术... [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2007 [1]
• 2005 [1]
• 2004 [2]

学科主题

• Physics, M... [4]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Si1Sb2Te3 phase change material for chalcogenide random access memory 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS, 2007, 卷号: 16, 期号: 8, 页码: 2475-2478 Zhang, T; Song, ZT; Liu, B; Liu, WL; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/03/24 OVONIC UNIFIED MEMORY  AMORPHOUS THIN-FILMS  OPTICAL DISK  RESISTANCE MEASUREMENTS  ELECTRICAL-PROPERTIES  GE2SB2TE5 FILM  TE GLASSES  CRYSTALLIZATION  IMPLANTATION  BEHAVIOR   Phase transition phenomena in ultra-thin Ge2Sb2Te5 film 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1803-1805 Zhang, T; Liu, B; Song, ZT; Liu, WL; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 OVONIC UNIFIED MEMORY  CRYSTALLIZATION   Novel material for nonvolatile ovonic unified memory (OUM)-Ag11In12Te26Sb51 phase change semiconductor 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS, 2004, 卷号: 13, 期号: 7, 页码: 1167-1170 Liu, B; Song, ZT; Zhang, T; Feng, SL; Gan, FX 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/24 AMORPHOUS THIN-FILMS  OPTICAL DISK  TELLURIDE GLASSES  HIGH-DENSITY  CRYSTALLIZATION  TRANSITION  GE20TE80-XBIX  AG   Structure and electrical properties of Ge2Sb2Te5 thin film used for Ovonic unified memory 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2004, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 741-743 Zhang, T; Liu, B; Xia, JL; Song, ZT; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/24 REVERSIBLE PHASE-TRANSITION  TELLURIDE GLASSES  CRYSTALLIZATION  SEMICONDUCTORS  GE20TE80-XBIX