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半导体研究所 [16]
采集方式
iSwitch采集 [10]
OAI收割 [6]
内容类型
期刊论文 [16]
发表日期
2007 [16]
学科主题
半导体材料 [4]
光电子学 [2]
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浏览/检索结果:
共16条,第1-10条
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限定条件
发表日期:2007
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
条数/页:
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Preferential orientation growth of ain thin films on si (111) substrates by lp-mocvd
期刊论文
iSwitch采集
Modern physics letters b, 2007, 卷号: 21, 期号: 22, 页码: 1437-1445
作者:
Zhao, Yongmei
;
Sun, Guosheng
;
Liu, Xingfang
;
Li, Jiaye
;
Zhao, Wanshun
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提交时间:2019/05/12
Aluminum nitride
Low pressure metalorganic chemical vapor deposition (lp-mocvd)
V/iii ratio
Preferential orientation growth mechanism
Combined structure of zno vertical well-aligned nanorods and net-like structures on ain/sapphire
期刊论文
iSwitch采集
Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 306, 期号: 1, 页码: 12-15
作者:
Wei, H. Y.
;
Cong, G. W.
;
Zhang, P. F.
;
Hu, W. G.
;
Wu, J. J.
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提交时间:2019/05/12
Nanostructure
Omvpe
Semiconducting ii-vi materials
Fabrication and structure properties of gan nanowires by ammoniating ga2o3 films
期刊论文
iSwitch采集
Materials letters, 2007, 卷号: 61, 期号: 18, 页码: 3867-3869
作者:
Xue, Shoubin
;
Zhuang, Huizhao
;
Li, Baoli
;
Hu, Lijun
;
Zhang, Shiying
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提交时间:2019/05/12
Gan nanowires
Single crystal
Ammoniating technique
Deposition
On the formation of well-aligned zno nanowall networks by catalyst-free thermal evaporation method
期刊论文
iSwitch采集
Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 305, 期号: 1, 页码: 296-301
作者:
Yin, Zhigang
;
Chen, Nuofu
;
Dai, Ruixuan
;
Liu, Lei
;
Zhang, Xingwang
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提交时间:2019/05/12
Nanostructures
Physical vapor deposition processes
Zno
Semiconducting materials
Synthesis and characterization of zno nanorods and nanoflowers grown on gan-based led epiwafer using a solution deposition method
期刊论文
iSwitch采集
Journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 12, 页码: 3654-3659
作者:
Gao, Haiyong
;
Yan, Fawang
;
Li, Jinmin
;
Zeng, Yiping
;
Wang, Junxi
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提交时间:2019/05/12
Fabrication, morphology and photoluminescence properties of gan nanowires
期刊论文
iSwitch采集
European physical journal-applied physics, 2007, 卷号: 38, 期号: 3, 页码: 243-246
作者:
Zhuang, Huizhao
;
Xue, Shoubin
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提交时间:2019/05/12
Growth and characterization of gan nanorods through ammoniating process by magnetron sputtering on si(111) substrates
期刊论文
iSwitch采集
Applied physics a-materials science & processing, 2007, 卷号: 87, 期号: 4, 页码: 645-649
作者:
Xue, S.
;
Zhuang, H.
;
Xue, C.
;
Hu, L.
;
Li, B.
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提交时间:2019/05/12
Effects of rapid thermal annealing on the emission properties of highly uniform self-assembled inas/gaas quantum dots emitting at 1.3 mu m
期刊论文
iSwitch采集
Applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 11, 页码: 3
作者:
Yang, Tao
;
Tatebayashi, Jun
;
Aoki, Kanna
;
Nishioka, Masao
;
Arakawa, Yasuhiko
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提交时间:2019/05/12
Improved field emission properties from metal-coated diamond films
期刊论文
iSwitch采集
Diamond and related materials, 2007, 卷号: 16, 期号: 3, 页码: 650-653
作者:
Zhao, Yongmei
;
Zhang, Binglin
;
Yao, Ning
;
Sun, Guosheng
;
Li, Jinmin
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
Mwpcvd diamond films
Metal coatings
Field emission properties
Study on mechanical properties of gan epitaxy films grown on sapphire by mocvd
期刊论文
iSwitch采集
Rare metal materials and engineering, 2007, 卷号: 36, 期号: 3, 页码: 416-419
作者:
Wei Tongbo
;
Wang Junxi
;
Li Jinmin
;
Liu Zhe
;
Duan Ruifei
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提交时间:2019/05/12
Gan
Mocvd
Morphology
Mechanical properties