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  • 半导体研究所 [2]
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  • 2007 [2]
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The effects of lt aln buffer thickness on the optical properties of algan grown by mocvd and al composition inhomogeneity analysis 期刊论文  iSwitch采集
Journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 4, 页码: 1113-1117
作者:  
Wang, X. L.;  Zhao, D. G.;  Jahn, U.;  Ploog, K.;  Jiang, D. S.
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The effects of LT AlN buffer thickness on the optical properties of AlGaN grown by MOCVD and Al composition inhomogeneity analysis 期刊论文  OAI收割
journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 4, 页码: 1113-1117
Wang, XL (Wang, X. L.); Zhao, DG (Zhao, D. G.); Jahn, U (Jahn, U.); Ploog, K (Ploog, K.); Jiang, DS (Jiang, D. S.); Yang, H (Yang, H.); Liang, JW (Liang, J. W.)
收藏  |  浏览/下载:68/0  |  提交时间:2010/03/29