机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2008 [3]

学科主题

• 半导体材料 [3]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2008    学科主题：半导体材料    内容类型：期刊论文     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Fracture Properties of LPCVD Silicon Nitride and Thermally Grown Silicon Oxide Thin Films From the Load-Deflection of Long Si3N4 and SiO2/Si3N4 Diaphragms 期刊论文  OAI收割 journal of microelectromechanical systems, 2008, 卷号: 17, 期号: 5, 页码: 1120-1134 Yang, JL; Gaspar, J; Paul, O 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/03/08 Bulge test  fracture  pooled Weibull analysis  silicon nitride (Si3N4)  silicon oxide (SiO2)   Study of GaN growth on ultra-thin Si membranes 期刊论文  OAI收割 solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 986-989 Wang X; Wu AM; Chen J; Wang X; Wu YX; Zhu JJ; Yang H 收藏  |  浏览/下载：58/2  |  提交时间：2010/03/08 GaN   Effect of indium-doped interlayer on the strain relief in GaN films grown on Si(111) 期刊论文  OAI收割 physica status solidi a-applications and materials science, 2008, 卷号: 205, 期号: 2, 页码: 294-299 Wu, JJ; Zhao, LB; Zhang, GY; Liu, XL; Zhu, QS; Wang, ZG; Jia, QJ; Guo, LP; Hu, TD 收藏  |  浏览/下载：66/3  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  TEMPERATURE ALN INTERLAYERS  PHASE EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  SURFACTANT  SUBSTRATE  STRESS  SI  REDUCTION  SAPPHIRE