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浏览/检索结果: 共29条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2008    内容类型：期刊论文    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Investigation of environmental friendly Te-free SiSb material for applications of phase-change memory 期刊论文  OAI收割 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2008, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 55010-55010 Zhang, T; Song, ZT; Liu, B; Feng, SL 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/24 RANDOM-ACCESS MEMORY  CRYSTALLIZATION  TRANSITION  STORAGE  FILMS   Reactive-ion etching of Sn-doped Ge2Sb2Te5 in CHF3/O-2 plasma for non-volatile phase-change memory device 期刊论文  OAI收割 THIN SOLID FILMS, 2008, 卷号: 516, 期号: 21, 页码: 7871-7874 Xu, C; Liu, B; Song, ZT; Feng, SL; Chen, BM 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/03/24 RANDOM-ACCESS MEMORY  OXYGEN  TRANSITION   Oxidant addition effect on Ge2Sb2Te5 phase change film chemical mechanical polishing 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2008, 卷号: 155, 期号: 11, 页码: H929-H931 Zhong, M; Song, ZT; Liu, B; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/03/24 CHANGE MEMORY   Study on the orientation of silver films by ion-beam assisted deposition 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2008, 卷号: 254, 期号: 6, 页码: 1565-1568 Feng, T; Jiang, BY; Zhuo, S; Wang, X; Liu, XH 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/03/24 BOMBARDMENT  GROWTH   Synthesis and electrochemical characterization of mesoporous carbons prepared by chemical activation 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2008, 卷号: 155, 期号: 7, 页码: A475-A480 Zhao, JC; Dai, Y; Xu, JL; Chen, SH; Xie, JY 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2011/11/04 DOUBLE-LAYER CAPACITORS  PORE STRUCTURE  ELECTRODES  SUPERCAPACITORS  AEROGELS  EDLC   Research on metastable electron traps in the modified SOI materials induced by Si ion implantation 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A, 2008, 卷号: 26, 期号: 2, 页码: L1-L4 Zhang, EX; Yu, ZS; Cao, YG; Yang, H; Zhang, ZX; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2011/11/04 SIMOX BURIED OXIDES  RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY  RADIATION RESPONSE  OXYGEN  INSULATOR   Au doped Sb3Te phase-change material for C-RAM device 期刊论文  OAI收割 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2008, 卷号: 254, 期号: 8, 页码: 2281-2284 Wang, F; Zhang, T; Liu, CL; Song, ZT; Wu, LC; Liu, B; Feng, SL; Chen, B 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/03/24 RANDOM-ACCESS MEMORY   Amorphous molecular material containing bisthiophenyl-benzothiadiazole and triphenylamine with bipolar and low-bandgap characteristics for solar cells 期刊论文  OAI收割 THIN SOLID FILMS, 2008, 卷号: 516, 期号: 18, 页码: 5935-5940 He, QG; He, C; Sun, YX; Wu, HX; Li, YF; Bai, F 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/03/24 LIGHT-EMITTING-DIODES  ELECTROLUMINESCENCE  UNIT   High-Quality Thick GaN Overgrown on an Array of SiO2 Nanomasks by HVPE 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, 2008, 卷号: 155, 期号: 12, 页码: H1000-H1002 Wang, XZ; Yu, GH; Lin, CT; Cao, MX; Lu, HF; Gong, H; Li, XL; Qi, M; Li, AZ 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2012/03/24 LIGHT-EMITTING-DIODES  EPITAXIAL GAN  FABRICATION  FILMS   Thick GaN grown on a nanoporous GaN template by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 ELECTROCHEMICAL AND SOLID STATE LETTERS, 2008, 卷号: 11, 期号: 10, 页码: H273-H275 Wang, XZ; Yu, GH; Lin, CT; Cao, MX; Gong, H; Qi, M; Li, AZ 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/24 HIGH-QUALITY GAN  PLANE SAPPHIRE  POROUS GAN  FILMS  NANOHETEROEPITAXY  FABRICATION  EPILAYERS  LAYERS  SI