机构

• 半导体研究所 [15]

采集方式

• OAI收割 [15]

内容类型

• 期刊论文 [13]
• 会议论文 [2]

发表日期

• 2008 [15]

学科主题

• 半导体物理 [6]
• 半导体材料 [5]
• 光电子学 [2]
• 半导体器件 [2]

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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2008    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode 会议论文  OAI收割 34th international symposium on compound semiconductors, kyoto, japan, oct 15-18, 2007 Wang, XH; Wang, XL; Xiao, HL; Feng, C; Wang, XY; Wang, BZ; Yang, CB; Wang, JX; Wang, CM; Ran, JX; Hu, GX; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/03/09 GAS SENSORS  HEMT STRUCTURES  MOBILITY  TEMPERATURE  TRANSISTORS  GROWTH  MOCVD  LAYER   A traveling-wave electroabsorption modulator with a large optical cavity and intrastep quantum wells 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2008, 卷号: 23, 期号: 10, 页码: art. no. 105011 Yang, H; Chin, MK; Zhou, JT; Lee, SY; Chen, WX; Zhu, HL 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/03/08 STEP-BARRIER  POWER  GUIDE   Experimental study on a diode-pumped passively mode-locking Nd : GdVO4/SESAM laser 期刊论文  OAI收割 laser physics, 2008, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 729-731 Shihua, L; Jie, L; Guanggang, W; Lei, L; Shushan, L; Min, L; Yonggang, W; Lianjie, Q 收藏  |  浏览/下载：61/2  |  提交时间：2010/03/08 SATURABLE BRAGG REFLECTOR  LOCKED ND-YVO4 LASER  ABSORBER MIRROR  SEMICONDUCTOR ABSORBER  ND-GD0.5Y0.5VO4 LASER  YLF LASERS  POWER   Spectroscopy of long wavelength coupled quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 17, 页码: art. no. 175102 Xiong, YH; Huang, SS; Ni, HQ; Dou, XM; Niu, ZC 收藏  |  浏览/下载：86/1  |  提交时间：2010/03/08 ELECTRON-SPIN  EMISSION  ISLANDS  GROWTH  STATES   Optical study of lateral carrier transfer in (In,Ga)As/GaAs quantum-dot chains 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 1, 页码: art. no. 011107 Wang, BR; Sun, BQ; Ji, Y; Dou, XM; Xu, ZY; Wang, ZM; Salamo, GJ 收藏  |  浏览/下载：104/2  |  提交时间：2010/03/08 LOCALIZED STATES  ISLANDS  WIRES  SUPERLATTICES  ORGANIZATION  GAAS(100)  EXCITONS  GROWTH  DECAY  GAAS   Systematic investigation on the influence of the As-4 flux on the magnetic property of (In,Cr)As quantum dots 期刊论文  OAI收割 epl, 2008, 卷号: 84, 期号: 5, 页码: art. no. 58007 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：160/34  |  提交时间：2010/03/08 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  FERROMAGNETISM  GROWTH  ARRAYS   High-performance 2 mm gate width GaNHEMTs on 6H-SiC with output power of 22.4 W @ 8 GHz 期刊论文  OAI收割 solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 926-929 Wang, XL; Chen, TS; Xiao, HL; Wang, CM; Hu, GX; Luo, WJ; Tang, J; Guo, LC; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：77/1  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN/AlN/GaN  HEMTs  SiC  power   Long-wavelength light emission from self-assembled heterojunction quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 9, 页码: art. no. 094315 Zhou, ZQ; Xu, YQ; Hao, RT; Tang, B; Ren, ZW; Niu, ZC 收藏  |  浏览/下载：43/4  |  提交时间：2010/03/08 MU-M  GAAS  GROWTH  EPITAXY   Hydrogen sensors based on AlGaN/AIN/GaN Schottky diodes 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 266-269 Wang, XH; Wang, XL; Feng, C; Xiao, HL; Yang, CB; Wang, JX; Wang, BZ; Ran, JX; Wang, CM 收藏  |  浏览/下载：75/8  |  提交时间：2010/03/08 GAS SENSORS  HEMT STRUCTURES  MOBILITY  TRANSISTORS  TEMPERATURE  SURFACES  PT/GAN  GROWTH  PD/GAN  MOCVD   Characterization of self-organized InAs/GaAs quantum dots under strain-induced and temperature-controlled nucleation mechanisms by atomic force microscopy and photoluminescence spectroscopy 会议论文  OAI收割 2nd ieee international nanoelectronics conference, shanghai, peoples r china, mar 24-27, 2008 Liang, LY; Ye, XL; Jin, P; Chen, YH; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/03/09 INDUCED REFRACTIVE-INDEX  GROWTH  LASERS  GAAS