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半导体研究所 [4]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
会议论文 [2]
期刊论文 [2]
发表日期
2009 [4]
学科主题
半导体材料 [4]
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浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
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发表日期:2009
学科主题:半导体材料
专题:半导体研究所
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Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer
会议论文
OAI收割
international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Li, JY
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, JM
;
Zeng, YP
收藏
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提交时间:2010/03/09
Silicon Carbide
Aluminum Nitride
buffer layer
LPCVD
Growth of nonpolar a-plane GaN on nano-patterned r-plane sapphire substrates
期刊论文
OAI收割
applied surface science, 2009, 卷号: 255, 期号: 6, 页码: 3664-3668
Gao HY
;
Yan FW
;
Zhang Y
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Wang JX
收藏
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浏览/下载:165/24
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提交时间:2010/03/08
GaN
Nonpolar
MOCVD
Nano-patterned
An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application
期刊论文
OAI收割
solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335
作者:
Zhang ML
;
Hou QF
收藏
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浏览/下载:129/30
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/AlN/GaN
HEMT
MOCVD
SiC substrate
Power device
Morphology and wetting layer properties of InAs/GaAs nanostructures
会议论文
OAI收割
5th international conference on semiconductor quantum dots, gyeongju, south korea, may 11-16, 2008
作者:
Xu B
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提交时间:2010/03/09
MOLECULAR-BEAM EPITAXY