机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [2]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2009 [3]

学科主题

• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2009    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Measurement of polar c-plane and nonpolar a-plane inn/zno heterojunctions band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 16, 页码: 3 作者:  Yang, A. L.;  Song, H. P.;  Wei, H. Y.;  Liu, X. L.;  Wang, J. 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Conduction bands  Iii-v semiconductors  Ii-vi semiconductors  Indium compounds  Interface states  Polarisation  Semiconductor heterojunctions  Valence bands  Wide band gap semiconductors  X-ray photoelectron spectra  Zinc compounds   Measurement of polar C-plane and nonpolar A-plane InN/ZnO heterojunctions band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 16, 页码: art. no. 163301 作者:  Jin P;  Wei HY;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：310/47  |  提交时间：2010/03/08 conduction bands  III-V semiconductors  II-VI semiconductors  indium compounds  interface states  polarisation  semiconductor heterojunctions  valence bands  wide band gap semiconductors  X-ray photoelectron spectra  zinc compounds   Nonpolar growth and characterization of InN overlayers on vertically oriented GaN nanorods 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 2, 页码: art. no. 026102 作者:  Jiang DS;  Zhang SM;  Yang H;  Yang H;  Wang YT 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/03/08 LIGHT-EMITTING-DIODES  FUNDAMENTAL-BAND GAP  NANOWIRES  HETEROSTRUCTURES  NANOSTRUCTURES  MOCVD  POLAR