机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2010 [4]

学科主题

• 半导体材料 [4]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2010    学科主题：半导体材料    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The two- to three-dimensional growth transition of InAs/GaAs epitaxy layer studied by reflectance difference spectroscopy 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 8, 页码: art. no. 083513 Zhou GY (Zhou G. Y.); Chen YH (Chen Y. H.); Tang CG (Tang C. G.); Liang LY (Liang L. Y.); Jin P (Jin P.); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/12/05 QUANTUM-DOT SYSTEM  ISLAND FORMATION  IN-SITU  EVOLUTION  GAAS  PHOTOLUMINESCENCE   Structure and properties of InAs/AlAs quantum dots for broadband emission 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 10, 页码: art. no. 103515 Meng XQ (Meng X. Q.); Jin P (Jin P.); Liang ZM (Liang Z. M.); Liu FQ (Liu F. Q.); Wang ZG (Wang Z. G.); Zhang ZY (Zhang Z. Y.) 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/12/28 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   Temperature-dependent modulation characteristics for 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dot lasers 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 1, 页码: art. no. 013102 Xu PF (Xu Peng-Fei); Yang T (Yang Tao); Ji HM (Ji Hai-Ming); Cao YL (Cao Yu-Lian); Gu; YX (Gu Yong-Xian); Liu Y (Liu Yu); Ma WQ (Ma Wen-Quan); Wang ZG (Wang Zhan-Guo) 收藏  |  浏览/下载：205/54  |  提交时间：2010/04/13 energy states  optical modulation  quantum dot lasers  THRESHOLD CURRENT  WELL  GAIN   Temperature dependent photoluminescence of an In(Ga)As/GaAs quantum dot system with different areal density 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2010, 卷号: 43, 期号: 29, 页码: art. no. 295401 Zhou XL (Zhou X. L.); Chen YH (Chen Y. H.); Liu JQ (Liu J. Q.); Jia CH (Jia C. H.); Zhou GY (Zhou G. Y.); Ye XL (Ye X. L.); Xu B (Xu Bo); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏  |  浏览/下载：336/26  |  提交时间：2010/08/17 CARRIER RELAXATION  STATES  SUPERLATTICES  CONFINEMENT  LASER