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机构
半导体研究所 [3]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2010 [3]
学科主题
半导体材料 [3]
筛选
浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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限定条件
发表日期:2010
学科主题:半导体材料
条数/页:
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Origin of flat-band voltage sharp roll-off in metal gate/high-k/ultrathin- SiO2/Si p-channel metal-oxide-semiconductor stacks
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 13, 页码: art. no. 132908
Zheng XH (Zheng X. H.)
;
Huang AP (Huang A. P.)
;
Xiao ZS (Xiao Z. S.)
;
Yang ZC (Yang Z. C.)
;
Wang M (Wang M.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Wang WW (Wang W. W.)
;
Chu PK (Chu Paul K.)
收藏
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提交时间:2010/11/14
OXYGEN
GATE
DIFFUSION
FILMS
Catalytic Activation of Mg-Doped GaN by Hydrogen Desorption Using Different Metal Thin Layers
期刊论文
OAI收割
japanese journal of applied physics, JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 2010, 卷号: 49, 49, 期号: 10, 页码: art. no. 100201, Art. No. 100201
作者:
Wei TB (Wei Tongbo)
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/11/14
LOW-TEMPERATURE ACTIVATION
Low-temperature Activation
Films
FILMS
Molecular beam epitaxy of GaSb on GaAs substrates with AlSb/GaSb compound buffer layers
期刊论文
OAI收割
thin solid films, THIN SOLID FILMS, 2010, 2010, 卷号: 519, 519, 期号: 1, 页码: 228-230, 228-230
作者:
Hao RT (Hao Ruiting)
;
Deng SK (Deng Shukang)
;
Shen LX (Shen Lanxian)
;
Yang PZ (Yang Peizhi)
;
Tu JL (Tu Jielei)
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/12/28
Gallium Arsenide
Gallium Arsenide
Gallium Antimonide
Gallium Antimonide/aluminum Antimonide
Superlattices
Molecular Beam Epitaxy
Vapor-phase Epitaxy
Surface-morphology
Growth
Superlattices
Temperature
Relaxation
Detectors
Gaas(001)
Mocvd
Films
Gallium antimonide
Gallium antimonide/Aluminum antimonide
Superlattices
Molecular Beam Epitaxy
VAPOR-PHASE EPITAXY
SURFACE-MORPHOLOGY
GROWTH
SUPERLATTICES
TEMPERATURE
RELAXATION
DETECTORS
GAAS(001)
MOCVD
FILMS