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采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 专利 [2]
• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2011 [4]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2011     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Structural and optical study of irradiation effect in GaN epilayers induced by 308 MeV Xe ions 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2011, 卷号: 269, 期号: 15, 页码: 1782-1785 作者:  Li, B. S.;  Zhang, L. M.;  Zhang, C. H.;  Zhang, L. Q.;  Jia, X. J.   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2015/10/15 GaN  Ion irradiation  AFM  HRXRD  Raman scattering  PL   Phosphor-converted LED devices having improved light distribution uniformity 专利  OAI收割 专利号: GB2466892B, 申请日期: 2011-02-23, 公开日期: 2011-02-23 作者:  SU LIN OON;  HONG HUAT YEOH;  SIEW IT PANG;  MENG EE LEE;  KIAN SHIN LEE   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/24 Phosphor-converted LED devices having improved light distribution uniformity 专利  OAI收割 专利号: GB2466892B, 申请日期: 2011-02-23, 公开日期: 2011-02-23 作者:  SU LIN OON;  HONG HUAT YEOH;  SIEW IT PANG;  MENG EE LEE;  KIAN SHIN LEE   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24 Theoretical study of polarization-doped GaN-based light-emitting diodes 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, Applied Physics Letters, 2011, 2011, 卷号: 98, 98, 期号: 10, 页码: 101110, 101110 作者:  Zhang, L.;  Ding, K.;  Liu, N.X.;  Wei, T.B.;  Ji, X.L.   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/06/14 Electron injection  Gallium alloys  Gallium nitride  Light  Light emission  Organic light emitting diodes(OLED)  Polarization  Electron Injection  Gallium Alloys  Gallium Nitride  Light  Light Emission  Organic Light Emitting Diodes(Oled)  Polarization