机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2016 [5]

学科主题

• 半导体材料 [3]
• 光电子学 [2]

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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2016    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Anisotropic structural and optical properties of semi-polar (11-22) GaN grown on m-plane sapphire using double AlN buffer layers 期刊论文  OAI收割 scientific reports, 2016, 卷号: 6, 页码: 20787 Guijuan Zhao; Lianshan Wang; Shaoyan Yang; Huijie Li; Hongyuan Wei; Dongyue Han; Zhanguo Wang 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2017/03/10 Molecular Beam Epitaxy of GaSb on GaAs Substrates with AlSb Buffer Layers 期刊论文  OAI收割 chin. phys. lett., 2016, 卷号: 34, 期号: 1, 页码: 018101 Hai-Long Yu; Hao-Yue Wu; Hai-Jun Zhu; Guo-Feng Song; Yun Xu 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/03/16 A CdSe thin film: a versatile buffer layer for improving the performance of TiO2 nanorod array:PbS quantum dot solar cells 期刊论文  OAI收割 nanoscale, 2016, 卷号: 8, 期号: 19, 页码: 10198-10204 Furui Tan; Zhijie Wang; Shengchun Qu; Dawei Cao; Kong Liu; Qiwei Jiang; Ying Yang; Shan Pang; Weifeng Zhang; Yong Lei; Zhanguo Wang 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2017/03/10 Effect of GaN buffer polarization on electron distribution of AlGaN/GaN heterostructure 期刊论文  OAI收割 journal of alloys and compounds, 2016, 卷号: 670, 页码: 258-261 Xiaoguang He; Degang Zhao; Wei Liu; Jing Yang; Xiaojing Li; Xiang Li 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2017/03/10 A Wavelength Tunable Optical Buffer Based on Self-pulsation in An Active Microring Resonator 期刊论文  OAI收割 journal of lightwave technology, 2016, 卷号: 34, 期号: 14, 页码: 3466-3472 Weilin Liu; Bruno Romeira; Ming Li; Robert S. Guzzon; Erik J. Norberg; John Parker; Larry A. Coldren; Jianping Yao 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2017/03/10