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  • 宁波材料技术与工程研... [2]
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  • 2017 [2]
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一种基于梯度叠层缓冲层薄膜的外延生长Alm<-sub>Ga1<-sub>‑m<-sub>N的方法 专利  OAI收割
专利号: CN106920739A, 申请日期: 2017-07-04, 公开日期: 2017-07-04
作者:  
郭炜;  叶继春;  黄峰;  李俊梅;  孟凡平
  |  收藏  |  浏览/下载:20/0  |  提交时间:2018/01/11
坩埚下降法生长红外砷化镓晶体的研究 期刊论文  OAI收割
应用技术学报, 2017, 期号: 01, 页码: 10-13+88
作者:  
何庆波;  金敏;  徐家跃;  范世骥;  申慧
  |  收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2017/12/25