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新疆理化技术研究所 [5]
采集方式
OAI收割 [5]
内容类型
学位论文 [2]
期刊论文 [2]
专利 [1]
发表日期
2020 [5]
学科主题
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浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
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发表日期:2020
专题:新疆理化技术研究所
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第一作者单位
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背照式CMOS图像传感器的累积辐射效应研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
张翔
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浏览/下载:147/0
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提交时间:2020/11/19
背照式CMOS 图像传感器
总剂量效应
位移损伤效应
稀氮(Ga(In)AsN)材料的位移损伤效应研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
雷琪琪
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2020/11/19
稀氮
Ga(In)AsN材料
光致发光
辐射损伤效应
退火
一种基于阈值电压类型匹配的6-T存储单元抗总剂量加固方法
专利
OAI收割
申请日期: 2020-04-14,
作者:
郑齐文
;
崔江维
;
余学峰
;
陆妩
;
孙静
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2020/11/25
CMOS图像传感器单粒子效应及加固技术研究进展
期刊论文
OAI收割
核技术, 2020, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 50-58
作者:
蔡毓龙
;
李豫东
;
文林
;
郭旗
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2020/03/13
CMOS图像传感器
单粒子效应
抗辐射加固技术
空间辐射
电离总剂量效应对4T CMOS图像传感器暗电流影响的数值仿真
期刊论文
OAI收割
数值计算与计算机应用, 2020, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: 143-150
作者:
魏莹
;
文林
;
李豫东
;
郭旗
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提交时间:2020/09/07
CMOS图像传感器
电离总剂量辐射效应
TCAD仿真