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10MeV质子辐射效应对基于8T-CMOS星敏感器性能影响研究(英文)
期刊论文
OAI收割
原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2135-2142
作者:
冯婕1,2
;
李豫东1,2
;
傅婧1,2,3
;
文林1,2
;
郭旗1,2
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提交时间:2022/03/07
时空数据
可视分析
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辐射导致CMOS图像传感器暗电流随机电报信号(英文)
期刊论文
OAI收割
原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2143-2150
作者:
刘炳凯1,2,3,4
;
李豫东1,2,3
;
文林1,2,3
;
周东1,2,3
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2022/03/07
CMOS图像传感器
位移损伤效应
电离总剂量效应
暗电流随机电报信号
高能质子辐照导致电荷耦合器件性能退化研究
期刊论文
OAI收割
现代应用物理, 2021, 卷号: 12, 期号: 3, 页码: 147-152
作者:
李钰1
;
文林2
;
周东2
;
李豫东2
;
郭旗2
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2021/11/29
高能质子
位移损伤效应
电荷耦合器件
非电离能损
热像素
8T CMOS图像传感器质子辐照效应研究(英文)
期刊论文
OAI收割
原子能科学技术, 2021, 卷号: 55, 期号: 12, 页码: 2128-2134
作者:
傅婧1,2,3
;
李豫东1,2
;
冯婕1,2
;
文林1,2
;
郭旗1,2
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2022/01/25
CMOS图像传感器
钳位光电二极管
质子辐照
电离总剂量
位移损伤剂量
背照式CMOS图像传感器的累积辐射效应研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
张翔
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提交时间:2020/11/19
背照式CMOS 图像传感器
总剂量效应
位移损伤效应
稀氮(Ga(In)AsN)材料的位移损伤效应研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
雷琪琪
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2020/11/19
稀氮
Ga(In)AsN材料
光致发光
辐射损伤效应
退火
空间辐射环境下 SiC MOSFET 的栅氧可靠性研究
学位论文
OAI收割
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:
梁晓雯
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2020/11/19
SiC MOSFET
栅氧可靠性
总剂量效应
单粒子效应
潜损伤
安全工作区
0.18μm CMOS有源像素图像传感器质子辐照效应
期刊论文
OAI收割
红外与激光工程, 2020, 卷号: 49, 期号: 7, 页码: 183-188
作者:
蔡毓龙1,2,3
;
李豫东1,3
;
文林1,3
;
冯婕3,1
;
郭旗3,1
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2020/12/04
CMOS图像传感器
单粒子效应
累积辐射效应
质子
碎屑流冲击棚洞机理及缓冲垫层效应研究
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院大学, 2020
作者:
宋跃
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2021/01/18
碎屑流
冲击
棚洞
垫层
金属/陶瓷界面断裂的微观机制研究
学位论文
OAI收割
北京: 中国科学院大学, 2019
作者:
付雪琼
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浏览/下载:489/0
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提交时间:2019/12/10
Metal/ceramic Interface, Interface Fracture, Molecular Simulation, Interface Strength, Misfit Dislocation