机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2009 [2]
• 2008 [1]
• 1998 [1]

学科主题

• 半导体化学 [4]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体化学    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Effects of crystalline quality on the ultraviolet emission and electrical properties of the ZnO films deposited by magnetron sputtering 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2009, 卷号: 255, 期号: 11, 页码: 5876-5880 作者:  You JB;  Zhang XW;  Yin ZG;  Fan YM 收藏  |  浏览/下载：239/61  |  提交时间：2010/03/08 Crystal quality  RF magnetron sputtering  Zinc oxide  Semiconducting II-VI materials   Defect evolution and accompanied change of electrical properties during the GaN growth by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 journal of alloys and compounds, 2009, 卷号: 487, 期号: 1-2, 页码: 400-403 作者:  Zhang SM;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Guo X;  Wang YT 收藏  |  浏览/下载：165/33  |  提交时间：2010/03/08 Nitride materials   Growth temperature dependences of InN films grown by MOCVD 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2008, 卷号: 255, 期号: 5, 页码: 3149-3152 part 2 Yang, CB; Wang, XL; Xiao, HL; Zhang, XB; Hua, GX; Ran, JX; Wang, CM; Li, JP; Li, JM; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：69/1  |  提交时间：2010/03/08 InN  MOCVD  Mobility   Solid-phase crystallization and dopant activation of amorphous silicon films by pulsed rapid thermal annealing 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 1998, 卷号: 135, 期号: 1-4, 页码: 205-208 Wang YQ; Liao XB; Ma ZX; Yue GZ; Diao HW; He J; Kong GL; Zhao YW; Li ZM; Yun F 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/08/12 amorphous silicon  solid-phase crystallization  rapid thermal annealing  LPCVD POLYCRYSTALLINE SILICON  LOW-TEMPERATURE  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION