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机构
半导体研究所 [6]
采集方式
OAI收割 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2013 [1]
2011 [1]
2010 [1]
2008 [2]
2005 [1]
学科主题
半导体器件 [6]
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浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
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限定条件
学科主题:半导体器件
专题:半导体研究所
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Low-temperature electron mobility in heavily n-doped junctionless nanowire
期刊论文
OAI收割
applied physics letters, 2013, 卷号: 102, 期号: 22, 页码: 223507
Xiaoming Li, Weihua Han, Liuhong Ma, Hao Wang, Fuhua Yang
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2014/03/26
Limiting factors of driving hall element by pulsed power supply
期刊论文
OAI收割
key engineering materials, 2011, 卷号: 480-481, 页码: 786-789
Chen, Xuelei
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2012/06/14
DC power transmission
Electric field effects
Electric power systems
Hall mobility
Behavior of Pentacene Initial Nucleation on Various Dielectrics and Its Effect on Carrier Transport in Organic Field-Effect Transistor
期刊论文
OAI收割
journal of nanoscience and nanotechnology, 2010, 卷号: 10, 期号: 11 sp. iss. si, 页码: 7103-7107
Qi QO (Qi Qiong)
;
Yu AF (Yu Aifang)
;
Wang LM (Wang Liangmin)
;
Jiang C (Jiang Chao)
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/11/30
Organic Field-Effect Transistor
Dielectric Surface Energy
Initial Nucleation
Mobility
Grain Size
Hydrogen sensors based on AlGaN/AIN/GaN HEMT
期刊论文
OAI收割
microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 1, 页码: 20-23
Wang, XH
;
Wang, XL
;
Feng, C
;
Yang, CB
;
Wang, BZ
;
Ran, JX
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Wang, JX
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浏览/下载:51/6
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/AIN/GaN HEMT
hydrogen sensor
Hydrogen sensors based on AlGaN/AIN/GaN Schottky diodes
期刊论文
OAI收割
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 266-269
Wang, XH
;
Wang, XL
;
Feng, C
;
Xiao, HL
;
Yang, CB
;
Wang, JX
;
Wang, BZ
;
Ran, JX
;
Wang, CM
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浏览/下载:74/8
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提交时间:2010/03/08
GAS SENSORS
HEMT STRUCTURES
MOBILITY
TRANSISTORS
TEMPERATURE
SURFACES
PT/GAN
GROWTH
PD/GAN
MOCVD
Back-to-back Schottky diode adopted for the measurement of GaN films and its Schottky contacts
期刊论文
OAI收割
semiconductor science and technology, 2005, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 606-610
Luo Q
;
Du JF
;
Yang MH
;
Wang LC
;
Jin T
;
Yu Q
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提交时间:2010/03/17
OHMIC CONTACTS