机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2011 [1]
• 2007 [1]

学科主题

• 半导体物理 [2]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理    内容类型：期刊论文     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 GaAs-based long-wavelength InAs quantum dots on multi-step-graded InGaAs metamorphic buffer grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2011, 2011, 卷号: 44, 44, 期号: 33, 页码: 335102, 335102 作者:  He JF;  Wang HL;  Shang XJ;  Li MF;  Zhu Y   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/01/06 1.3 MU-M  STRAIN RELIEF  LASERS  SUBSTRATE  PHOTOLUMINESCENCE  DISLOCATIONS  OPERATION  RANGE  1.3 Mu-m  Strain Relief  Lasers  Substrate  Photoluminescence  Dislocations  Operation  Range   Metamorphic growth of 1.25-1.29 mu m InGaAs quantum well lasers on GaAs by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2007, 卷号: 301, 期号: 0, 页码: 971-974 Tangring, I (Tangring, I.); Wang, SM (Wang, S. M.); Sadeghi, M (Sadeghi, M.); Larsson, A (Larsson, A.); Wang, XD (Wang, X. D.) 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2010/03/29 metamorphic growth