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• 半导体研究所 [48]

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• OAI收割 [48]

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• 期刊论文 [45]
• 会议论文 [3]

发表日期

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学科主题

• 半导体物理 [48]

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浏览/检索结果: 共48条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 GaAs-based long-wavelength InAs quantum dots on multi-step-graded InGaAs metamorphic buffer grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2011, 2011, 卷号: 44, 44, 期号: 33, 页码: 335102, 335102 作者:  He JF;  Wang HL;  Shang XJ;  Li MF;  Zhu Y   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/01/06 1.3 MU-M  STRAIN RELIEF  LASERS  SUBSTRATE  PHOTOLUMINESCENCE  DISLOCATIONS  OPERATION  RANGE  1.3 Mu-m  Strain Relief  Lasers  Substrate  Photoluminescence  Dislocations  Operation  Range   GaAs-Based Metamorphic Long-Wavelength InAs Quantum Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: art. no. 067801 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/03/08 MU-M  LASER  ISLANDS   Electronic structure and optical gain saturation of InAs1-xNx/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 12, 页码: art. no. 123705 Chen J; Fan WJ; Xu Q; Zhang XW; Li SS; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：82/4  |  提交时间：2010/03/08 EMISSION  SPECTRA  LASERS  8-BAND   Design of high polarization and single-mode photonic crystal laser 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 6, 页码: 3955-3960 Chen W; Xing MX; Ren G; Wang K; Du XY; Zhang YJ; Zheng WH 收藏  |  浏览/下载：87/3  |  提交时间：2010/03/08 photonic crystal  dipole mode  quality factor  degree of polarization   Monolithic integration of sampled grating DBR with electroabsorption modulator by combining selective-area-growth MOCVD and quantum-well intermixing 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 10, 页码: 3670-3672 Liu, HB; Zhao, LJ; Pan, JQ; Zhu, HL; Zhou, F; Wang, BJ; Wang, W 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/03/08 TUNING RANGE  LASERS  TRANSMITTER  PERFORMANCE  MOVPE   Effects of coupling lens on optical refrigeration of semiconductors 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 5, 页码: 1878-1880 Ding, K; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：52/3  |  提交时间：2010/03/08 THULIUM-DOPED GLASS  UP-CONVERSION  LASER   Room-temperature highly anisotropic ferromagnetism and uniaxial spin amplification in (In,Mn)As quantum dots 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 1, 页码: art. no. 013129 Zhang, XW; Fan, WJ; Li, SS; Xia, JB 收藏  |  浏览/下载：81/0  |  提交时间：2010/03/08 Electronic structure and optical gain of wurtzite ZnO nanowires 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 18, 页码: art. no. 181101 Zhang, XW; Li, JB; Li, SS; Xia, JB 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/03/08 ROOM-TEMPERATURE  QUANTUM-WELLS  NANOBELTS  GROWTH  ARRAYS  LASERS  WIRES  FIELD   Time-resolved photoluminescence spectra of self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 thin solid films, 2006, 卷号: 498, 期号: 1-2, 页码: 188-192 Kong LM; Cai JF; Wu ZY; Gong Z; Niu ZC; Feng ZC 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/04/11 time-resolved photoluminescence  InAs self-assembled QDs  migration of carriers  1.3 MU-M  DEPENDENT RADIATIVE DECAY  THERMAL REDISTRIBUTION  EXCITONS  RECOMBINATION  RELAXATION  LIFETIMES  EMISSION  EPITAXY  LASERS   Influence of growth parameters of frequency-radio plasma nitrogen source on extending emission wavelengths from 1.31 mu m to 1.55 mu m GaInNAs/GaAs quantum wells grown by molecular-beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 1005-1008 作者:  Yang XH 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/04/11 LASERS  TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE