机构

• 半导体研究所 [5]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [5]

发表日期

• 2010 [2]
• 2009 [1]
• 2008 [1]
• 1999 [1]

学科主题

• 半导体物理 [5]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Origins of magnetism in transition metal doped Cul 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2010, 2010, 卷号: 108, 108, 期号: 4, 页码: art. no. 043713, Art. No. 043713 作者:  Wang J (Wang Jing);  Li JB (Li Jingbo);  Li SS (Li Shu-Shen);  Wang, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: jbli@semi.ac.cn   |  收藏  |  浏览/下载：86/0  |  提交时间：2010/10/11 AUGMENTED-WAVE METHOD  Augmented-wave Method  Optical-properties  Cuprous Halides  Copper Halides  Band-structure  Cubr  Photoemission  Pressure  Density  States  OPTICAL-PROPERTIES  CUPROUS HALIDES  COPPER HALIDES  BAND-STRUCTURE  CUBR  PHOTOEMISSION  PRESSURE  DENSITY  STATES   Band crossing in isovalent semiconductor alloys with large size mismatch: First-principles calculations of the electronic structure of Bi and N incorporated GaAs 期刊论文  OAI收割 physical review b, PHYSICAL REVIEW B, 2010, 2010, 卷号: 82, 82, 期号: 19, 页码: art. no. 193204, Art. No. 193204 作者:  Deng HX (Deng Hui-Xiong);  Li JB (Li Jingbo);  Li SS (Li Shu-Shen);  Peng HW (Peng Haowei);  Xia JB (Xia Jian-Bai)   |  收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/12/27 IMPURITIES  Impurities  Gaas1-xnx  Nitrogen  Gainnas  States  Traps  GAAS1-XNX  NITROGEN  GAINNAS  STATES  TRAPS   Structural and Magnetic Properties of Sm Implanted GaN 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: art. no. 077502 作者:  Zhang ML 收藏  |  浏览/下载：59/1  |  提交时间：2010/03/08 Circular photogalvanic effect at inter-band excitation in InN 期刊论文  OAI收割 solid state communications, 2008, 卷号: 145, 期号: 4, 页码: 159-162 Zhang, Z; Zhang, R; Liu, B; Xie, ZL; Xiu, XQ; Han, R; Lu, H; Zheng, YD; Chen, YH; Tang, CG; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：67/2  |  提交时间：2010/03/08 InN  photogalvanic  inter-band transition   Enhanced hydrogen desorption from Si sites during low-temperature Si1-xGex growth by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 1999, 卷号: 85, 期号: 9, 页码: 6920-6922 Liu JP; Huang DD; Li JP; Lin YX; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 GAS-SOURCE MBE  KINETICS  ADSORPTION  SILICON  SI(100)  MECHANISM  SI2H6  PHASE  FILMS