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浏览/检索结果: 共130条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 GaAs隧道结与GaInNAs太阳能电池材料的分子束外延生长 学位论文  OAI收割 硕士, 北京: 中国科学院大学, 2014 作者:  甘兴源 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2017/03/15 皮秒激光泵浦-探测在窄禁带半导体中的应用研究所 学位论文  OAI收割 : 中国科学院研究生院, 2010 作者:  马法君   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2012/08/22 Hgcdte  Gainnas  深能级吸收  泵浦-探测  载流子动力学   Band crossing in isovalent semiconductor alloys with large size mismatch: first-principles calculations of the electronic structure of bi and n incorporated gaas 期刊论文  iSwitch采集 Physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 19, 页码: 4 作者:  Deng, Hui-Xiong;  Li, Jingbo;  Li, Shu-Shen;  Peng, Haowei;  Xia, Jian-Bai 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 The optical gain and radiative current density of GaInNAs/GaAs/AlGaAs separate confinement heterostructure quantum well lasers 期刊论文  OAI收割 Journal of Applied Physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 1 S. D. Wu, Y. G. Cao, S. Tomic and F. Ishikawa 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/11/02 aluminium compounds  energy gap  gallium arsenide  gallium compounds  III-V semiconductors  indium compounds  quantum well lasers  valence  bands  waveguide lasers  threshold-current-density  band parameters  tensile strain  temperature  subbands  semiconductors  performance  spectra  leakage  diode   Band crossing in isovalent semiconductor alloys with large size mismatch: First-principles calculations of the electronic structure of Bi and N incorporated GaAs 期刊论文  OAI收割 physical review b, PHYSICAL REVIEW B, 2010, 2010, 卷号: 82, 82, 期号: 19, 页码: art. no. 193204, Art. No. 193204 作者:  Deng HX (Deng Hui-Xiong);  Li JB (Li Jingbo);  Li SS (Li Shu-Shen);  Peng HW (Peng Haowei);  Xia JB (Xia Jian-Bai)   |  收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/12/27 IMPURITIES  Impurities  Gaas1-xnx  Nitrogen  Gainnas  States  Traps  GAAS1-XNX  NITROGEN  GAINNAS  STATES  TRAPS   Spin-Polarized Localized Exciton Photoluminescence Dynamics in GaInNAs Quantum Wells 期刊论文  OAI收割 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2009, 卷号: 48, 期号: 10 作者:  Lu SL(陆书龙);  Lu SL(陆书龙);  Dong JR(董建荣);  Bian LF(边历峰) 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/01/15 一种脉冲阳极氧化工艺制作的长波长通讯用GaInNAs半导体激光器芯片 专利  OAI收割 专利号: CN101478114A, 申请日期: 2009-07-08, 公开日期: 2009-07-08 作者:  邓昀;  曲轶;  张晶;  乔忠良;  李辉   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 1310 nm gainnas triple quantum well laser with 13 ghz modulation bandwidth 期刊论文  iSwitch采集 Electronics letters, 2009, 卷号: 45, 期号: 7, 页码: 356-u23 作者:  Zhao, H.;  Haglund, A.;  Westburgh, P.;  Wang, S. M.;  Gustavsson, J. S. 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/12 Growth and characterization of gainnas by molecular beam epitaxy using a nitrogen irradiation method 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 7, 页码: 1723-1727 作者:  Zhao, H.;  Wang, S. M.;  Zhao, Q. X.;  Sadeghi, M.;  Larsson, A. 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum well  Dilute nitride  Rapid thermal annealing  Ingaas  Gainnas   1.3-1.55 微米 GaInNAs(Sb)/GaAs 量子阱生长与激光器制备研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009 赵欢 收藏  |  浏览/下载：52/7  |  提交时间：2009/04/13