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  • iSwitch采集 [7]
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  • 2003 [7]
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Structure and luminescence of gan films by sputtering post-annealing-reaction technique 期刊论文  iSwitch采集
Diamond and related materials, 2003, 卷号: 12, 期号: 8, 页码: 1402-1405
作者:  Ma, HL;  Yang, YG;  Xue, CS;  Zhuang, HZ;  Hao, XT
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Growth of gan nanowires through nitridation ga2o3 films deposited by electrophoresis 期刊论文  iSwitch采集
Applied surface science, 2003, 卷号: 217, 期号: 1-4, 页码: 78-81
作者:  Xue, CS;  Yang, L;  Wang, CM;  Zhuang, HZ
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Preparation and properties of gan nanostructures by post-nitridation technique 期刊论文  iSwitch采集
Physica b-condensed matter, 2003, 卷号: 334, 期号: 3-4, 页码: 287-291
作者:  Yang, YG;  Ma, HL;  Xue, CS;  Zhuang, HZ;  Hao, XT
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Formation of high quality gallium nitride thin films on ga-diffused si(111) substrate 期刊论文  iSwitch采集
Applied surface science, 2003, 卷号: 210, 期号: 3-4, 页码: 153-157
作者:  Xue, CS;  Yang, L;  Wang, CM;  Zhuang, HZ;  Wei, QQ
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Preparation and characterization of gan nanowires 期刊论文  iSwitch采集
Chinese physics letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 568-570
作者:  Xue, CS;  Yang, YG;  Ma, HL;  Zhuang, HZ;  Ma, J
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Preparation and properties of gan films on si(111) substrates 期刊论文  iSwitch采集
Science in china series g-physics astronomy, 2003, 卷号: 46, 期号: 2, 页码: 173-177
作者:  Yang, YG
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Characterization of gan films grown on silicon (111) substrates 期刊论文  iSwitch采集
Physica b-condensed matter, 2003, 卷号: 325, 期号: 1-4, 页码: 230-234
作者:  Yang, YG;  Ma, HL;  Xue, CS;  Hao, XT;  Zhuang, HZ
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