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• 半导体研究所 [2]

采集方式

• iSwitch采集 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2008 [2]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    发表日期：2008    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Dislocation scattering in alxga1-xn/gan heterostructures 期刊论文  iSwitch采集 Applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 18, 页码: 3 作者:  Xu, Xiaoqing;  Liu, Xianglin;  Han, Xiuxun;  Yuan, Hairong;  Wang, Jun 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/12 Aluminium compounds  Dislocation density  Electron mobility  Gallium compounds  Iii-v semiconductors  Interface roughness  Semiconductor heterojunctions  Two-dimensional electron gas  Wide band gap semiconductors   Investigation of filling factor in in0.53ga0.47as/in0.52al0.48as quantum wells with two occupied subbands 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2008, 卷号: 57, 期号: 6, 页码: 3818-3822 作者:  Shang Li-Yan;  Lin Tie;  Zhou Wen-Zheng;  Guo Shao-Ling;  Li Dong-Lin 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2019/05/12 In0.53ga0.47as/in-0.52 al0.48as quantum well  Filling factor  Magnetotransport measurement