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机构
半导体研究所 [6]
采集方式
iSwitch采集 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2009 [1]
2008 [1]
2007 [1]
2006 [3]
学科主题
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浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
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存缴方式:iswitch
内容类型:期刊论文
专题:半导体研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
条数/页:
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Revised ab initio natural band offsets of all group iv, ii-vi, and iii-v semiconductors
期刊论文
iSwitch采集
Applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 21, 页码: 3
作者:
Li, Yong-Hua
;
Walsh, Aron
;
Chen, Shiyou
;
Yin, Wan-Jian
;
Yang, Ji-Hui
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提交时间:2019/05/12
Ab initio calculations
Band structure
Cadmium compounds
Iii-v semiconductors
Ii-vi semiconductors
Iv-vi semiconductors
Zinc compounds
Confined lo-phonon-assisted magnetotunneling in a parabolic quantum well with double barriers
期刊论文
iSwitch采集
Physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2008, 卷号: 40, 期号: 8, 页码: 2664-2670
作者:
Gong, J.
;
Liang, X. X.
;
Ban, S. L.
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提交时间:2019/05/12
Lo-phonon
Magnetotunneling
Parabolic quantum well
Dynamics of spin-dependent tunneling through a semiconductor double-barrier structure
期刊论文
iSwitch采集
Journal of applied physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 7, 页码: 6
作者:
Gong, J.
;
Liang, X. X.
;
Ban, S. L.
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/12
The effects of lt aln buffer thickness on the properties of high al composition algan epilayers
期刊论文
iSwitch采集
Materials letters, 2006, 卷号: 60, 期号: 29-30, 页码: 3693-3696
作者:
Wang, X. L.
;
Zhao, D. G.
;
Li, X. Y.
;
Gong, H. M.
;
Yang, H.
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2019/05/12
Algan
Lt aln
Taxrd
Dislocation
Effect of oxidation on the optical and surface properties of algan
期刊论文
iSwitch采集
Applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 24, 页码: 8706-8709
作者:
Wang, X. L.
;
Zhao, D. G.
;
Chen, J.
;
Li, X. Y.
;
Gong, H. M.
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Oxidation
Algan
Surface morphology
Morphological defects and uniformity issues of 4h-sic homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001)si faces
期刊论文
iSwitch采集
Materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 275-278
作者:
Sun, G. S.
;
Liu, X. F.
;
Gong, Q. C.
;
Wang, L.
;
Zhao, W. S.
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提交时间:2019/05/12
4h-sic
Homoepitaxial layers
Surface morphological defect
Optical microscopy