机构

• 半导体研究所 [7]

采集方式

• iSwitch采集 [7]

内容类型

• 期刊论文 [7]

发表日期

• 2005 [2]
• 2004 [5]

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    内容类型：期刊论文    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Crack-free gan/si(111) epitaxial layers grown with inalgan alloy as compliant interlayer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 279, 期号: 3-4, 页码: 335-340 作者:  Wu, JJ;  Han, XX;  Li, JM;  Li, DB;  Lu, Y 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Cracks  (111) substrate  Stresses  Metalorganic chemical vapor deposition  Gan  Inalgan buffer   Effects of different modified underlayer surfaces on growth and optical properties of ingan quantum dots 期刊论文  iSwitch采集 Vacuum, 2005, 卷号: 77, 期号: 3, 页码: 307-314 作者:  Han, XX;  Li, JM;  Wu, JJ;  Wang, XH;  Li, DB 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/05/12 Nanostructure  Metalorganic vapor phase epitaxy  Nitrides  Surfactants   Crack-free inalgan quaternary alloy films grown on si(111) substrate by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 273, 期号: 1-2, 页码: 79-85 作者:  Wu, JJ;  Li, DB;  Lu, Y;  Han, XX;  Li, JM 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/05/12 Cracks  Si(111) substrate  Stresses  Metalorganic chemical vapor deposition  Gan  Inalgan   Effect of spontaneous and piezoelectric polarization on intersubband transition in alxga1-xn-gan quantum well 期刊论文  iSwitch采集 Journal of vacuum science & technology b, 2004, 卷号: 22, 期号: 6, 页码: 2568-2573 作者:  Li, JM;  Lu, YW;  Li, DB;  Han, XX;  Zhu, QS 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Dislocation scattering in a two-dimensional electron gas of an alxga1-xn/gan heterostructure 期刊论文  iSwitch采集 Physica status solidi b-basic research, 2004, 卷号: 241, 期号: 13, 页码: 3000-3008 作者:  Han, XX;  Li, DB;  Yuan, HR;  Sun, XH;  Liu, XL 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Structural and optical properties of 3d growth multilayer ingan/gan quantum dots by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 266, 期号: 4, 页码: 423-428 作者:  Han, XX;  Chen, Z;  Li, DB;  Wu, JJ;  Li, JM 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Nanostructure  Optical microscopy  Metalorganic vapor phase epitaxy  Nitrides   Structural and optical properties of quaternary alingan epilayers grown by mocvd with various tmga flows 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 3-4, 页码: 388-393 作者:  Liu, JP;  Zhang, BS;  Wu, M;  Li, DB;  Zhang, JC 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Triple-axis x-ray diffraction  Atomic force microscopy  Metalorganic chemical vapor deposition  Alingan quaternary alloys