机构

• 半导体研究所 [8]

采集方式

• iSwitch采集 [8]

内容类型

• 期刊论文 [8]

发表日期

• 2011 [5]
• 2010 [1]
• 2007 [2]

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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 A theoretical calculation of the impact of gan cap and alxga1-xn barrier thickness fluctuations on two-dimensional electron gas in a gan/alxga1-xn/gan heterostructure 期刊论文  iSwitch采集 Ieee transactions on electron devices, 2011, 卷号: 58, 期号: 12, 页码: 4272-4275 作者:  Liu, Guipeng;  Wu, Ju;  Lu, Yanwu;  Zhang, Biao;  Li, Chengming 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Cap-thickness-fluctuation (ctf) and barrierthickness fluctuation (btf) scattering  Interface roughness scattering  Two dimensional electron gas (2deg)   Well-aligned zn-doped tilted inn nanorods grown on r-plane sapphire by mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Nanotechnology, 2011, 卷号: 22, 期号: 23, 页码: 7 作者:  Zhang, Biao;  Song, Huaping;  Xu, Xiaoqing;  Liu, Jianming;  Wang, Jun 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Mocvd growth of a-plane inn films on r-al2o3 with different buffer layers 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117 作者:  Zhang, Biao;  Song, Huaping;  Wang, Jun;  Jia, Caihong;  Liu, Jianming 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Anisotropy  Crystal morphology  Metalorganic chemical vapor deposition  A-plane inn   Valence band offset of wurtzite inn/srtio3 heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文  iSwitch采集 Nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: 4 作者:  Li, Zhiwei;  Zhang, Biao;  Wang, Jun;  Liu, Jianming;  Liu, Xianglin 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan grown with ingan as a weakly bonded layer 期刊论文  iSwitch采集 Crystengcomm, 2011, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 1580-1585 作者:  Xu, Xiaoqing;  Guo, Yan;  Liu, Xianglin;  Liu, Jianming;  Song, Huaping 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/05/12 Intersubband absorption energy shifts in 3-level system for asymmetric quantum well terahertz emitters 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 8, 页码: 10 作者:  Song, Yafeng;  Lu, Yanwu;  Zhang, Biao;  Xu, Xiaoqing;  Wang, Jun 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Study of nonlinear absorption in gaas/algaas multiple quantum wells using the reflection z-scan 期刊论文  iSwitch采集 Optical and quantum electronics, 2007, 卷号: 39, 期号: 14, 页码: 1207-1214 作者:  Liu, Rubin;  Shu, Yongchun;  Zhang, Guanjie;  Sun, Jiamin;  Xing, Xiaodong 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum wells  Reflection z-scan  Nonlinear absorption  Band-filling effect   Morphological and electrical properties of inp grown by solid source molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 299, 期号: 2, 页码: 243-247 作者:  Pi, Biao;  Shu, Yongchun;  Lin, Yaowang;  Sun, Jiaming;  Qu, Shengchun 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Electron concentration  High electron mobility  Surface morphology  Inp epilayer  Molecular beam epitaxy