机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• iSwitch采集 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2011 [1]
• 2009 [1]
• 2007 [2]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Characteristics of undoped and sb-doped zno thin films prepared in different atmospheres by pulsed laser deposition 期刊论文  iSwitch采集 Physica status solidi a-applications and materials science, 2011, 卷号: 208, 期号: 4, 页码: 843-850 作者:  Zhu, B. L.;  Zhu, S. J.;  Zhao, X. Z.;  Su, F. H.;  Li, G. H. 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Conductivity  Doping  Photoluminescence  Pulsed laser deposition  Zno   The hartman effect in graphene 期刊论文  iSwitch采集 Journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 4, 页码: 5 作者:  Wu, Zhenhua;  Chang, Kai;  Liu, J. T.;  Li, X. J.;  Chan, K. S. 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/05/12 Graphene  Tunnelling   Combined structure of zno vertical well-aligned nanorods and net-like structures on ain/sapphire 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 306, 期号: 1, 页码: 12-15 作者:  Wei, H. Y.;  Cong, G. W.;  Zhang, P. F.;  Hu, W. G.;  Wu, J. J. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Nanostructure  Omvpe  Semiconducting ii-vi materials   Application of rapid thermal annealing on 1.3-1.55 mu m gainnas(sb) lasers grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2007, 卷号: 301, 页码: 979-983 作者:  Zhao, H.;  Xu, Y. Q.;  Ni, H. Q.;  Zhang, S. Y.;  Han, Q. 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence  Quantum well  Rapid thermal annealing