机构

• 半导体研究所 [6]

采集方式

• iSwitch采集 [6]

内容类型

• 期刊论文 [6]

发表日期

• 2011 [1]
• 2010 [5]

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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 存缴方式：iswitch    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Efficient 1.53 mu m emission and energy transfer in si/er-si-o multilayer structure 期刊论文  iSwitch采集 Materials research bulletin, 2011, 卷号: 46, 期号: 2, 页码: 262-265 作者:  Zheng, J.;  Zuo, Y. H.;  Wang, W.;  Tao, Y. L.;  Xue, C. L. 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 Multilayers  Inorganic compounds  Sputtering  Optical properties   Role of bi3+ ions for er3+ ions efficient 1.54 mu m light emission in er/bi codoped sio2 thin film prepared by sol-gel method 期刊论文  iSwitch采集 Journal of luminescence, 2010, 卷号: 130, 期号: 10, 页码: 1760-1763 作者:  Zheng, J.;  Zuo, Y. H.;  Zhang, L. Z.;  Wang, W.;  Xue, C. L. 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Photoluminescence  Energy transfer  Erbium  Bismuth   Synthesies and properties of tb-doped gan nanowires 期刊论文  iSwitch采集 Inorganic materials, 2010, 卷号: 46, 期号: 10, 页码: 1096-1099 作者:  Cao, Y. P.;  Shi, F.;  Xiu, X. W.;  Sun, H. B.;  Guo, Y. F. 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/05/12 Growth and properties of dy-doped gan nanowires 期刊论文  iSwitch采集 European physical journal-applied physics, 2010, 卷号: 50, 期号: 1, 页码: 5 作者:  Cao, Y. P.;  Shi, F.;  Sun, H. B.;  Liu, W. J.;  Guo, Y. F. 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Fabrication of gan nanowires on pd-coated sapphire substrates by magnetron sputtering technique 期刊论文  iSwitch采集 Materials characterization, 2010, 卷号: 61, 期号: 4, 页码: 381-385 作者:   收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Nanowires  Semiconductor  Sputtering  Photoluminescence   Highly efficient photoluminescence of er2sio5 films grown by reactive magnetron sputtering method 期刊论文  iSwitch采集 Journal of luminescence, 2010, 卷号: 130, 期号: 3, 页码: 411-414 作者:  Zheng, J.;  Ding, W. C.;  Xue, C. L.;  Zuo, Y. H.;  Cheng, B. W. 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Erbium silicate  Photoluminescence  Si photonics